忆阻元件文献总结.docxVIP

忆阻元件1、研究背景忆阻元件(Memristor)的概念由LeonO.Chua提出，得名于其电阻对所通过电量的依赖性，被认为是电阻、电容和电感之外的第四种基本电路元件。在1971年，LeonO.Chua在IEEE “Transactions on Circuit Theory”发表了一篇文章《Memristor--The Missing Circuit Element》，提供了记忆电阻的数学基础。他认为，基本的电子构件有四种：电阻、电容、电感、记忆电阻；定义它们的基本的电路参数也有四个：电流、电压、电荷q、磁漏φ。电荷对时间的导数是电流，磁漏对时间的导数是电压，而揭示φ和q之间的关系，正预言了忆阻元件的实现。由于缺乏实验的支撑，在被提出后的二十几年间，相关理论虽有发展却并设有引起足够的关注。近来Strukov等成功制作了具有忆阻性能的器件结构后，忆阻元件开始引起更多学者的研究兴趣，并可望成为电子学、材料科学等领域研究的新热点。实际上，忆阻元件可以用许多不同材料制成，其组值随两端电压而变，随所加电压的时间长短而变。刚开始时是作为二值存储元件，但也可以工作在模拟方式，而成为一种新型的逻辑电路。产生一种新型的计算，使之在存储数据的芯片内进行，而不在CPU上进行。这就更像神经系统，神经元之间的连接可以有强弱，而导致人脑学习和配置功能。这种存储是非易失性的，关了电源也不会丢。它可以做到1纳米