大电子电路第一章_.ppt

北京航空航天大学202教研室 1.4.5 MOSFET的大信号特性方程 1.4.5.1 E型NMOSFET 1. 可变电阻区 条件：vGSVGS(th), vDS(vGS-VGS(th)) 电流方程： 式中：βn是管子的增益系数，单位为mA/V2 式中：μn是NMOS管沟道中电子的迁移率；Cox是氧化层单位面积电容量；W/L 是沟道宽度与长度之比 （式1.4.4） vDS很小时（例如vDS0.1V），可简化为： 可见，vDS一定时，iD和vGS成线性关系。 这些特性曲线都近似为直线，直线的斜率由vGS控制 2. 临界恒流区 条件：vGSVGS(th), vDS=(vGS-VGS(th)) 以vDS=(vGS-VGS(th))代入式 1.4.4 后，得： 可见iD和vGS成平方率关系。 （式 1.4.7） 参见 P29 图 1.4.13 3. 恒流区 条件：vGSVGS(th), vDS(vGS-VGS(th)) iD随vDS增加而稍有斜升，式 1.4.7 可改写成： （式 1.4.8） 式中：λ是沟道调制系数，典型值为 0.01V-1 参见 P29 图 1.4.13 1.4.5.2 E型PMOSFET 1. 可变电阻区 条件：vGSVGS(th), |vDS||vGS-VGS(th)| 电流方程： 式中：μp是PMOS管沟道中空穴的迁移率；Cox是氧化层单位面积电容量；W/L