第二章 自动控制.ppt

第二章 MCS-51单片机的基本结构及工作原理 P0口特点小结: 1. 做通用数据I/O端口时,输出级上端的FET处于截止状态,为漏级开路电路，若要驱动NMOS或其它拉电流负载时，所以与NMOS器件连接时,必须接“上拉电阻”,否则不能正确的输出高电平; 2.做通用数据I/O端口时,在输入操作前,为了保证输入正确，必须先向端口“写1”; 3. “读锁存器” 为引脚改写操作。凡是“读—修改—写” 的操作,CPU读的都是端口锁存器中的数据。 4.在总线方式时,P0口不能再做通用的I/O端口。它分时输出地址、数据总线的信息（此时引脚不用外接上拉电阻）。 5.能驱动8个TTL门电路。 P2口在系统使用外部存储器时，做高八位的地址总线。 P2口使用时注意： a 当应用系统扩展有大于256B而小于64kB的外部存储器，且P2口用于输出高8位地址时，P2口不能再作通用I／O口使用。使用如：movx a，@dptr；访问外部数据存储器movc a，@a+dptr ；访问外部程序存储器这里使用了16位的寄存器DPTR b 在应用系统扩展片外存储器容量小于256字节的系统中，可以使用“MOVX ＠Ri”类指令访问片外存储器，仅由P0口输出低8位地址，此时P2口可作通用I／O口用。 c 在外部扩充的存储器容量大于256B而小于64kB时，可以采用软件方法利用P1～P3中的某几位口线输出高8位地址，而保留P2口中的部分或全部口线作通用I／O口用。P3口小结 一、数据存储器 数据存储器无论在物理上还是逻辑上都分为两个地址空间，即一个内部和一个外部的数据存储空间。 访问内部数据存储单元时，使用 MOV 指令；而访问外部数据存储器时，使用 MOVX 指令。 内部数据存储器从功能上又将256B空间分为二个不同的块： 1）低128B的RAM块；2）高128B的SFR Special Function Register）块。 在低128B的RAM存储单元中又可划分为：工作寄存器区、可位寻址区、通用寄存器区。 高128B的专用寄存器区中仅仅使用了21寄存器（51系列），其它单元未定义不能使用。 存储器配置（片内RAM） 片内RAM 128字节（00H—7FH） 00H 20H 2FH 7FH 1FH 30H 80H FFH 普通RAM区 位寻址区 工作寄存器区 SFR分布在80H-FFH 80H FFH 所有的RAM区包括位寻址区、工作寄存器区）都可以用于存放数据，故也称为数据缓存寄存器 片内RAM前32个单元是工作寄存器区00H—1FH 00H 20H 2FH 7FH 1FH 30H 80H FFH 普通RAM区 位寻址区 工作寄存器区 存储器配置（片内RAM） 00H 20H 2FH 7FH 1FH 30H 80H FFH 普通RAM区 位寻址区 工作寄存器区 R0 R2 R1 R3 R4 R5 R6 R7 07H 02H 01H 00H 06H 04H 05H 03H 08H 1FH 工作寄存器区3 工作寄存器区2 工作寄存器区1 工作寄存器区0 0FH 10H 17H 18H 片内RAM前32个单元是工作寄存器区00H—1FH 存储器配置（片内RAM） 00H 20H 2FH 7FH 1FH 30H 80H FFH 普通RAM区 位寻址区 工作寄存器区 片内RAM中有128个可按位寻址的位。 位地址:00H—7FH分布在:20H—2FH单元 存储器配置（片内RAM） 00H 20H 2FH 7FH 1FH 30H 80H FFH 普通RAM区 位寻址区 工作寄存器区 27H 22H 21H 20H 26H 24H 25H 23H 28H 2FH 单元地址 07 06 05 04 03 02 01 00 0F 0E 0D 0C 0B 0A 09 08 17 16 15 14 13 12 11 10 1F 1E 1D 1C 1B 1A 19 18 27 26 25 24 23 22 21 20 2F 2E 2D 2C 2B 2A 29 28 37 36 35 34 33 32 31 30 3F 3E 3D 3C 3B 3A 39 38 47 46 45 44 43 42 41 40 7F 7E 7D 7C 7B 7A 79 78 位地址 总共128个可按位寻址的位 片内RAM中有128个可按位寻址的位。 位地址:00H—7FH分布在:20H—2FH单元 存储器配置（片内RAM） 位寻址区内的地址是位地址。共有00-7FH（共128个位）； 要区分字节地址和位地址这两个不同的地址概念： 从物理的角度，每一个字节地址内包含了