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* * * * National Cheng Kung University Institute of microelectronics OEIC Lab. Jun. 2012 P. * ZnO-based thin film double heterostructured-ultraviolet light-emitting diodes grown by vapor cooling condensation technique Institute of Microelectronics, Department of Electrical Engineering, National Cheng Kung University, Tainan, Taiwan, Republic of China. Po-Ching Wu and Ching-Ting Lee Outline Introduction Experiments Results and discussion Conclusions The applications of the UV light: Anti-counterfeiting detectors UV treatment Air and water purification The advantages of the UV LEDs: Portable Safety Long lifetime Environmental protection -no mercury (Hg) pollution Introduction The advantages of the ZnO semiconductor: Wide direct band gap (3.37 eV) Large exciton binding energy (60 meV) Low cost, high stability, non-toxic The energy bandgap of the MgZnO film could be modulated from 3.37 eV to 7.7 eV Ref:[1] J. Phys. D: Appl. Phys., 42, 235101 (2009). [2] Appl. Phys. Lett., 86, 192911, (2005). [3] IEEE J. Sel. Top. Quantum Electron., 14, 1048 (2008). [4] IEEE Photon. Technol. Lett., 20, 2108 (2008). The common deposition methods of the MgZnO film: MOCVD [1] MBE [2] PLD [3] Sputtering [4] High-temperature process Characteristics of the ZnO and the MgO materials: [1] materials ZnO MgO energy bandgap 3.37eV 7.7eV ionic radius Zn2+ = 0.6 ? Mg2+ = 0.57? lattice constant a=3.249? c=5.207? a=4.213 ? lattice structure hexagonal wurtzite structure cubic rock-salt (NaCl) structure Ref:[1] IEEE Photon. Technol. Lett., 20, 2108 (2008). Mixed Phase Hexagonal MgZnO Cubic MgZnO Lattice structure of the MgZnO films: Ref:[1] J. Appl. Phys., 94, 7336 (2003). When the Mg content of the MgZnO films is lower than 36%, the lattice structure is still as hexagonal structure.[1] The vapor cooling condensation system Experiments Deposition layers: i-type MgZnO film i-type ZnO film n-type ZnO:In film Deposition conditions: Pressure :10-4 torr De
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