2电子第1章12(三极管)W分析.pptVIP

1.2 双极型晶体三极管 半导体三极管又称为晶体管,也是非线性器件。晶体三极管的主要特性与其工作模式有关:当三极管工作在放大模式时，它对信号的电流、电压具有放大作用，从而构成放大器；当三极管工作在饱和模式和截止模式时，它相当于一个受控开关，从而构成无触点开关电路。 现在的大多数晶体管采用硅管。按照其结构进行分类，晶体管可以分成面结型晶体管和点结型晶体管;也可以按照其耗散功率的大小进行分类。如果按照其导电类型进行分类，可以分成NPN型和PNP型晶体管。 晶体管的外形和尺寸，按其用途、安装方式和耗散功率的不同而不同。 三极管电流传输三个过程 1、发射区多子扩散 2、基区的复合与扩散转移 3、集电区的收集， 现在使用的三极管引脚 作业 在输出特性曲线上标出放大、饱和、截止、击穿四个区。简述三极管放大、饱和、截止状态的偏置电压、电流关系。 2.晶体三极管的主要特性参数 (1)电流放大系数β (2)集-基反向截止电流ICBO (3)集-射反向截止电流ICEO (4)集电极最大允许电流ICM (5)集-射反向击穿电压U(BR)CEO (6)集电极最大允许耗散功率PCM * 1.2.1 晶体三极管的结构 工作原理 管脚排列方式 1．晶体三极管结构 在一块极薄的硅或锗基片上制作两个PN结就构成了三层半导体，三个电极分别叫发射极E、基极B、集电极C，对应的每层半导体分别称为发射区、基区、集电区。 B E C NPN型三极管 B E C PNP型三极管 三极管符号 N P N C B E P N P C B E 发射区与基区交界处的PN结叫发射结，集电区与基区交界处的PN结叫集电结。 发射结 集电结 B E C N N P 基极 发射极 集电极 _ _ _ _ _ _ _ _ _ + + + + + + + + + _ _ _ _ _ _ _ _ _ + + + + + + + + + B E C N N P 基极 发射极 集电极 基区：较薄，掺杂浓度低 集电区：面积较大 发射区：掺 杂浓度较高 2.工作原理 B E C N N P EB RB Ec 发射结正偏，发射区电子不断向基区扩散，形成发射极电流IE。 IE 1 进入P区的电子少部分与基区的空穴复合，形成电流IB ，多数扩散到集电结。 IB B E C N N P EB RB Ec IE 从基区扩散来的电子漂移进入集电区而被收集，形成IC。 IC 2 IC IB 要使三极管能放大电流，必须使发射结正偏，集电结反偏。 条件：发射结正偏，集电结反偏。 静态电流放大倍数 动态电流放大倍数 hFE= IC / IB ? = ? IC / ? IB hFE、? 近似相等 电流关系:IE=IC+IB 3. 三极管管脚的排列 ② 管脚呈一字型排列 中间：基极（B） 管脚较短的是集电极（C），或用集电极与其它电极距离最远来区别。 ① 管脚以等腰三角形排列。 顶点：基极（B） 左：发射极（E） 右：为集电极（C） ③ 大功率三极管的壳体是集电极。 I: E B C II: B C E B C E 小功率管 大功率管 1.2.2晶体三极管 特性曲线、参数及检测 图1.2-5 特性曲线测量的实验电路 以共发射极放大电路为例，三极管的输入特性曲线是指当UCE为常数时，IB与UBE之间的关系曲线IB＝f（UBE）。 （1）输入特性曲线 1. 特性曲线 在UCE=0.3V(1V)到UCE= 10V的条件下,IB变化不大。通常只画出UCE＞0.3V(1V)的一条输入特性曲线。 IB 与UBE的关系曲线同二极管类似。当UCE增加时，曲线将向右移动。 输入特性也有一段死区。硅管的死区电压约为0.5V，锗管约为0.1V。在正常工作况下，硅管的发射结电压UBE＝0.6V～0.7V，锗管的UBE＝0.2V～0.3V。 三极管的输出特性曲线是指当IB 为常数时，IC与UCE之间的关系曲线IC＝f（UCE）。 （2）输出特性曲线 晶体管的输出特性曲线是一个曲线族。当IB一定时，IC基本不随UCE变化，具有恒流特性。 输出特性(IC与UCE的关系曲线) 输出特性 IC(mA ) 1 2 3 4 UCE(V) 3 6 9 12 IB=0 20?A 40?A 60?A 80?A 100?A 当UCE大于一定的数值时，IC只与IB有关，IC=?IB , 且 ? IC = ? ? IB 。此区域称为线性放大区。 此区域中UCE?UBE,集电结正偏，?IBIC,称为饱和区。 UCES?0.3V,称为饱和压降 此区域中 : IB=0 , IC=ICEO , UBE 死区电