化合物半导体作业.docxVIP

姓名：毕延河 班级：硕0029班 学号：3110030056化合物半导体作业1．关于EL2的表征其中表示离化中心浓度，表示电中性，即未离化的杂质浓度，表示电子浓度又有可变形为所以，就得到下图中的C的浓度与的线性关系。2．在GaAs/AlxGa1-xAs体系中，如果已知x=0.2, 那么该异质结的导带和价带的能阶差分别是多少？（GaAs/AlxGa1-xAs体系能带差为1.247x eV,85%能带差造成导带能阶，15%能带差造成价带能阶）答：已知x=0.2则GaAs/AlxGa1-xAs体系中能带差为：1.247x eV=1.247*0.2=0.2494 eV所以该异质结的导带和价带能阶差分别为：0.2494*85%=0.21199 eV 0.2494*15%=0.03741 eV3. 薄膜生长模式所取决的因素答：薄膜生长模式分为平面，岛状和混合，它取决于的正负，，其中表示薄膜与气体界面的表面能，表示薄膜与衬底之间的界面能，表示衬底的表面能。当时，薄膜生长模式为平面生长，当，薄膜生长模式为岛状生长，如果刚开始，然后又，则先进行平面生长，再进行岛状生长，即混合生长模式。4. MBE生长技术中有哪些实时监控系统，分别进行功能描述答：MBE生长技术中的实时监控系统有:四极质谱仪，它用来进行真空度检测，检测残余气体和分子束流的成分；电离计，用来测量分子束流量电子衍射仪，它用来观察晶体表面结构以及生长表面光洁平整度俄歇谱仪，它用来检测表面成分、化学计量比和表面玷污等5．LED器件出光率的主要限制因素答：芯片材料的折射率一般大于空气的折射率1，这会使光从芯片中出射时很容易发生全反射，结果只有很少量的光射出芯片，而大部分光反射回了芯片内。 可采取的方法：降低出射面两边介质的折射率差，增大出射光锥改变出射面的形状，如球面透镜，并且适当确定芯片的位置6. 描述同素异形体的2H-SiC的晶体结构答：这里2指的是周期性次序中面的数目，SiC 的基本结构单元是Si-C四面体，属于密堆积结构，碳原子和硅原子的位置是交替的。SiC由单向堆积方式的不同产生各种不同的晶型, 密堆积有3 种不同的位置, 记为A, B, C，这里2H-SiC的堆积顺序为AB′AB?,则得到纯六方结构，如下图所示。7. 利用霍尔效应测试，如何从下式推导出霍尔系数的表达式？ （1）解：如下图所示，使电流I通过宽为w，厚度为d的长方体导体，且已知垂直外磁场的磁感应强度为,利用霍尔效应测试，可以得到霍尔电压 则 所以由（1）式得霍尔系数的表达式为：