3-1双极型晶体管资料.pptVIP

饱和区是输出特性曲线的上升部分和临界饱和区；截止区是基极电流等于０的那条曲线及其到横坐标之间的区域。 双极型晶体管又称为半导体三极管、晶体三极管。它由两个 PN 结组合而成，有两种载流子参与导电，是一种电流控制电流源器件（CCCS）。 晶体管英文为Transister，有两大类型: 双极型晶体管(BJT)； 场效应晶体管(FET)。 3.1 引言 场效应型晶体管仅由一种载流子参与导电，是一种电压控制电流源器件（VCCS）。 第3章 双极型晶体管 及其基本放大电路 晶体管的两种结构 3.2.1 晶体管的结构和类型 NPN型 PNP型 晶体管符号中的短粗线代表基极，发射极的箭头方向，代表发射极加正向偏置时电流的方向。 双极型晶体管有两种结构，NPN型和PNP型。 3.2 双极型晶体管 3.2.2 晶体管的三种组态 双极型晶体管有三个电极，其中两个可以作为输入，两个可以作为输出，这样必然有一个电极是公共电极。三种接法也称三种组态，如共发射极接法，也称共发射极组态，简称共射组态，发射极是公共电极。 晶体管的三种组态 共发射极接法，发射极作为公共电极，用CE表； 共集电极接法，集电极作为公共电极，用CC表示； 共基极接法，基极作为公共电极，用CB表示。 双极型晶体管在制造时，要求发射区的掺杂浓度大，基区掺杂浓度低并要制造得很薄，集电区掺杂浓度低，且集电结面积较大。从结构上看双极型晶体管是对称的，但发射极和集电极不能互换。 双极型晶体管在工作时一定要加上适当的直流偏置电压。若在放大工作状态：发射结加正向电压，集电结加反向电压。现以 NPN型晶体管的放大状态为例，来说明晶体管内部的电流关系。 1. 晶体管内部载流子的传输 3.2.3 晶体管的电流放大作用 IEN IEP ICBO IE IC IB IBN IE=IEN + IEP 且IEN IEP IC= ICN +ICBO ICN= IEN - IBN IB= IEP + IBN - ICBO 注意：图中画的是载流子的运动方向，空穴流与电流方向相同；电子流与电流方向相反。由此可确定三个电极的电流。 ICN 　　如何保证注入的载流子尽可能地到达集电区？　　 发射极电流：IE= IEN+IEP 且有IENIEP 集电极电流：IC=ICN+ICBO ICN=IEN-IBN 且有IEN IBN ， ICNIBN 基极电流： IB=IEP+IBN-ICBO 2. 晶体管电极电流的关系 所以，发射极电流又可以写成 IE=IEP+IEN=IEP+ICN+IBN =(ICN+ICBO)+(IBN+IEP－ICBO)=IC+IB IEN IEP ICBO IE IC IB IBN IE=IEN + IEP 且IEN IEP IC= ICN +ICBO ICN= IEN - IBN IB= IEP + IBN - ICBO ICN 称为共基极直流电流放大系数。它表示最后达到集电极的电子电流ICN与总发射极电流IE的比值。 3. 晶体管的电流放大系数 (1) 共基极直流电流放大系数 IC=ICN+ICBO= IE+ICBO= (IC+IB)+ICBO ICN与IE相比，因ICN中没有IEP和IBN，所以 (2) 共发射极直流电流放大系数 称为共射极直流电流放大系数。 则 其中 称为晶体管的穿透电流 其中 很小，可以忽略 ，它描述了晶体管的电流放大作用。 令 3.2.4 晶体管的共射特性曲线 iB是输入电流，uBE是输入电压。 iC是输出电流，uCE是输出电压。 输入特性曲线—— iB=f(uBE)? uCE=const 输出特性曲线—— iC=f(uCE)? iB=const 共发射极接法晶体管的特性曲线包括： 共发射极接法的电压-电流关系 1. 输入特性曲线 (1) UCE=0V，iB和uBE和呈指数关系，类似于半导体二极管的特性。 (2) 当UCE增加时，集电结收集电子能力增加，曲线右移。 (3) UCE≥1V，曲线右移不明显。近似用U