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* * * * * * * 增强型MOS管uDS对iD的影响 用场效应管组成放大电路时应使之工作在恒流区。N沟道增强型MOS管工作在恒流区的条件是什么? iD随uDS的增大而增大,可变电阻区 uGD=UGS(th),预夹断 iD几乎仅仅受控于uGS,恒流区 刚出现夹断 uGS的增大几乎全部用来克服夹断区的电阻 耗尽型 MOS管 耗尽型MOS管在 uGS>0、 uGS <0、 uGS =0时均可导通,且与结型场效应管不同,由于SiO2绝缘层的存在,在uGS>0时仍保持g-s间电阻非常大的特点。 加正离子 小到一定值才夹断 uGS=0时就存在导电沟道 MOS管的特性 1)增强型MOS管 2)耗尽型MOS管 开启电压 夹断电压 3. 场效应管的分类工作在恒流区时g-s、d-s间的电压极性 uGS=0可工作在恒流区的场效应管有哪几种? uGS>0才可能工作在恒流区的场效应管有哪几种? uGS<0才可能工作在恒流区的场效应管有哪几种? 二、场效应管静态工作点的设置方法 根据场效应管工作在恒流区的条件,在g-s、d-s间加极性合适的电源 1. 基本共源放大电路 2. 自给偏压电路 由正电源获得负偏压 称为自给偏压 哪种场效应管能够采用这种电路形式设置Q点? 3. 分压式偏置电路 为什么加Rg3?其数值应大些小些? 哪种场效应管能够采用这种电路形式设置Q点? 即典型的Q点稳定电路 三、场效应管放大电路的动态分析 近似分析时可认为其为无穷大! 根据iD的表达式或转移特性可求得gm。 与晶体管的h参数等效模型类比: 1. 场效应管的交流等效模型 2. 基本共源放大电路的动态分析 若Rd=3kΩ, Rg=5kΩ, gm=2mS,则 与共射电路比较。 3. 基本共漏放大电路的动态分析 若Rs=3kΩ,gm=2mS,则 基本共漏放大电路输出电阻的分析 若Rs=3kΩ,gm=2mS,则Ro=? §2.7 派生电路 一、复合管 二、派生电路举例 一、复合管 复合管的组成:多只管子合理连接等效成一只管子。 不同类型的管子复合后,其类型决定于T1管。 目的:增大β,减小前级驱动电流,改变管子的类型。 iB方向决定复合管的类型 二、派生电路举例:组合的结果带来什么好处? * * * * * * * 理解为什么引入交流负载线?交流负载线的特征。 * * * * * * * * * * * 3. 放大电路的动态分析 放大电路的 交流等效电路 阻容耦合共射放大电路的动态分析 输入电阻中不应含有Rs! 输出电阻中不应含有RL! 讨论一 1. 在什么参数、如何变化时Q1→ Q2 → Q3 → Q4? 2. 从输出电压上看,哪个Q点下最易产生截止失真?哪个Q点下最易产生饱和失真?哪个Q点下Uom最大? 3. 设计放大电路时,应根据什么选择VCC? 2. 空载和带载两种情况下Uom分别为多少? 在图示电路中,有无可能在空载时输出电压失真,而带上负载后这种失真消除? 增强电压放大能力的方法? 讨论二 已知ICQ=2mA,UCES=0.7V。 1. 在空载情况下,当输入信号增大时,电路首先出现饱和失真还是截止失真?若带负载的情况下呢? 讨论三:基本共射放大电路的静态分析和动态分析 Q IBQ≈35μA UBEQ≈0.65V 为什么用图解法求解IBQ和UBEQ? 讨论四:阻容耦合共射放大电路的静态分析和动态分析 §2.4 静态工作点的稳定 一、温度对静态工作点的影响 二、静态工作点稳定的典型电路 三、稳定静态工作点的方法 一、温度对静态工作点的影响 所谓Q点稳定,是指ICQ和UCEQ在温度变化时基本不变,这是靠IBQ的变化得来的。 若温度升高时要Q’回到Q,则只有减小IBQ T( ℃ )→β↑→ICQ↑ →Q’ ICEO↑ 若UBEQ不变IBQ↑ Q’ 二、静态工作点稳定的典型电路 直流通路? Ce为旁路电容,在交流通路中可视为短路 1. 电路组成 2. 稳定原理 为了稳定Q点,通常I1 IB,即I1≈ I2;因此 基本不随温度变化。 Re 的作用 T(℃)↑→IC↑→UE ↑→UBE↓(UB基本不变)→ IB ↓→ IC↓ Re起直流负反馈作用,其值越大,反馈越强,Q点越稳定。 关于反馈的一些概念: 将输出量通过一定的方式引回输入回路影响输入量的措施称为反馈。 直流通路中的反馈称为直流反馈。 反馈的结果使输出量的变化减小的称为负反馈,反之称为正反馈。 Re有上限值吗? IC通过Re转换为ΔUE影响UBE 温度升高IC增大,反馈的结果使之减小 3. Q 点分析 分压式电流负反馈工作点稳定电路 Rb上静态电
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