4.13三极管输入输出特性曲线的测试(new).ppt

 一.实验目的 二、实验原理 1. 共射输入特性曲线 以输出口电压vCE为参变量，反映iB和vBE的函数关系。 2. 共射输出特性曲线 以输入口电流iB为参变量，反映输出口iC与vCE的函数关系曲线。 四、实验报告要求 预习下次内容：实验4.11 RC带通滤波器的设计与测试 * * 4.13 三极管输入、输出特性曲线的测试 国家工科电工电子基础教学基地 国 家 级 实 验 教 学 示 范 中 心 现代电子技术实验 现代电子技术实验 国家工科电工电子基础教学基地 国 家 级 实 验 教 学 示 范 中 心 2.掌握晶体管输入输出特性的图测方法。 3.掌握用晶体管特性曲线求参数的方法。 1. 进一步熟悉晶体管图示仪的面板旋钮 vBE iB o vON vBE IB1 IB2 VCE=1V VCE=10V O iC vCE iB1 iB5 iB4 iB3 iB2 3. 三极管输出特性测试电路 测试台部分 Y轴作用部分 X轴作用部分 阶梯信号部分 集电极扫描信号部分 图示仪面板主要包括 晶体管输出特性的动态测量 半导体特性图示仪操作面板 测试台 集电极电源 阶梯电源 X轴 Y轴 1．晶体管输出特性的测量 （1）调节图示仪有关控制旋钮，测绘输出特性曲线。 （2）在曲线上标出饱和区、截止区和放大区。 （3）测量反向击穿电压 BVCEO（基极开路，功耗电阻取5 kΩ） （4）测量 、 。 设VCE =5V，适当选择和记录IBQ e c b 1008：NPN型 三、实验内容 iC IC △IC VCE =5V 2．晶体管输入特性的测量 （1）正确设置图示仪有关控制旋钮，测绘晶体管输入特性曲线。 （2）求出导通电压Von。 （3）根据曲线求线性变化区的输入电阻 ： 设置功耗电阻为250Ω～1k Ω iB vBE o VON ΔVBE ΔIB 1.写出所测参数的定义及其物理意义。 2.用坐标纸定量描绘特性曲线，正确标明相应坐标。 国家工科电工电子基础教学基地 国 家 级 实 验 教 学 示 范 中 心 国家工科电工电子基础教学基地 国 家 级 实 验 教 学 示 范 中 心