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SPUTTER 工艺理解SputterWe are one!2011.1.6目录 Sputter 在工艺中的位置 溅射原理 Sputter设备结构介绍 Sputter关键控制要素 Sputter常见不良及对策 刻蚀沉积清洗PR涂附曝光显影PR剥离检查Wet EtchDry EtchSputter 在工艺中的位置--- 工艺流程Sputter 在工艺中的位置--- 工艺流程 溅射原理Sputter：通过AC Power或DC Power形成的Plasma内的具有高能量的Gas Ion，其撞击Target表面,把靶材粒子从Target表面撞击出来，并贴附到基板表面的工程.反应离子二次电子溅射原子Target表面2次电子：入射离子和靶材碰撞，产生了部分2次电子。2次电子的能量足够高的时候，就能够与气体分子碰撞，并将气体分子电离，从而产生雪崩放电，维持Plasma的存在。溅射出来的粒子主要以原子团的方式存在，并飞落到玻璃基板上，形成薄膜。溅射原理1汤生放电Townsend discharge2正常辉光放电3异常辉光放电4弧光（Arc）放电等离子体Plasma：汤生放电阶段后，气体会突然发生放电击穿。这时气体开始具备了相当的导电能力，这样具备一定导电能力的气体即称为等离子体。正常辉光放电电流密度太小，不利于产生更多二次电子。异常辉光放电（glow discharge)是一般薄膜溅射常用的放电形式，因为它可以提供面积较大，分布较均匀的等离子体有利于实现大面积的均匀溅射和薄膜沉积。Arc放电特点：小的，孤立的电弧放电斑点。导致结果：①容易导致Splash；②形成物质蒸发，成膜性能难以控制。 溅射原理巴邢（Paschen)曲线击穿电压P*d适当的p*d乘积，气体最容易发生放电击穿在气体成分和电极材料一定的条件下，由巴邢（Paschen)曲线可知, 起辉电压V 只与压强P 、电极距d 乘积有关，电压有最小值。压强太低或d太小，电子很容易跨越电极间的空间，而没有与气体分子发生碰撞；V 太大时，电子和气体分子间的碰撞过于频繁，电子获得的能量较低，不足以引起气体分子电离。大多数辉光放电溅射过程中，要求气体压强低，压强和间距乘积一般都在最小值右边，故起辉电压较高。溅射原理溅射阈值 定义:溅射阈值是指将靶材原子溅射出来所需的入射离子的最小能量值 溅射阈值与入射粒子的质量无明显依赖关系,主要是与靶材有关； 溅射阈值随靶材原子序数的增加而减小; 对于大多数金属来说，溅射阈值为10～40ev Sputter的入射粒子与出射粒子的比率S=Ns/Ni,与入射粒子的动能有一定的关系，动能需要超过一定的值，同时又不能太大，太大会使Ar离子打到target里面，并不能使target原子打出，而是产生热量，使表面丘化，易发生splash动能太大，打出的原子成团或使表面热熔 溅射原理溅射产额左图是45keV的Xe离子入射时几种物质的溅射产额与温度的关系曲线：在一定温度范围内溅射产额与温度关系不大，但当温度达到一定程度后溅射产额会急剧增加。原因：温度升高，物质原子间结合力减弱，溅射阈值减小.措施：①SP Ch加热； ②控制温升，以免Target与Backing Plate的粘接剂熔化.溅射原理☆ 等离子体鞘层电位：占了电极间外加电压的绝大部分。它可以将Plasma中离子加速，从而获得高能量，并将靶材原子撞击出来。☆工业中通常采用Ar气作离子源 1）使用Ar，溅射率大； 2）Ar是惰性气体，不活跃，稳定； 3）Ar价格便宜； 4）Ar容易得到高纯度的气体； 5）安全性能好。 溅射原理靶材：为阴极，加直流负电压；玻璃支撑座（Platen,腔体）：为阳极，接地，相对靶材为正电压。磁控溅射原理磁控溅射原理：F=－q（E+νХB） 电子速度V与磁场强度B存在一定夹角时，电子将受到洛仑兹力的作用，在电场的作用下加速，在磁场作用下螺旋前进。 而螺旋运动的存在增大了电子在两极之间的运动路径，提高了电子的碰撞几率，从而低压起辉变为可能；而碰撞几率的增加使得Plasma中气体分子的电离程度增加，有利于提高产率。 根据上述公式，如果E与B垂直，则有可能将Target表面的电子轨迹束缚在Target附近，提高了电子碰撞和电离的几率，从而提高沉积速率。2 溅射原理实际的做法是：将永久磁铁或电磁线圈放在靶材后面，磁力线先穿出Target，然后变成与电场垂直，最后返回靶材表面。假设平行于Target的磁场为B，垂直Target的电场为E，则电子运动路径为：磁控溅射原理磁控溅射具有以下的特点：优点： 1）低压强； 电子碰撞几率增高，在低压下就能起辉。 2）低电压，大电流； 电子碰撞几率增加，在同样的气压电下，气体电离度高，提高了靶电流密度，电压随之下降。 3）沉积速率增加； 磁铁的使