功能无机材料.pptx

1 半导体材料 Semiconductors1.1 半导体材料概述电导率介于绝缘体及导体之间易受温度、照光、磁场及微量杂质原子影响能带理论合适的禁带宽度高的载流子迁移率一定的导电类型适当的杂质浓度和相应的电阻率较高的载流子寿命半导体器件对材料的要求1.2 半导体分类及特点元素半导体——Ge（锗）,Si（硅）,C（金刚石）、?-Sn（灰锡）、P（磷）、Se（硒）、Te（碲）、B（硼）等固体单质本征半导体（ Intrinsic semiconductor）：不含杂质（掺杂剂）掺杂半导体（ Extrinsic semiconductor）：本征半导体加入掺杂剂而形成掺杂高纯半导体掺杂半导体 掺杂（ Doping ）：在高纯半导体中有意识地加入少量杂质以提高载荷体数量施主杂质（ n-型半导体）：ⅣA族元素（C、Si、Ge、Sn）中掺入以VA族元素（P、Sb、Bi）受主杂质（ p-型半导体）：ⅣA族元素（C、Si、Ge、Sn）中掺入以ⅢA族元素（如B） n-型半导体（电子型，施主型） p-型半导体（空穴型，受主型）化合物半导体——由两种或两种以上元素以确定原子配比形成的、具有确定的禁带宽和能带结构等半导体性质的化合物。Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体： ⅢA族元素B、A1、Ga、In和VA族元素N、P、As、Sb所形成的二元化合物如GaAs、InP、GaN、GaP、InSb、GaSb、InAsⅡ-Ⅵ族