微电子器件(2-7).ppt

2.7 PN 结的开关特性 PN 结具有单向导电性，可当作开关使用。 理想开关的特性 直流特性：“开” 态时电压为 0，“关” 态时电流为 0 。 瞬态特性：打开的瞬间应立即出现稳态电流，关断的瞬间电流应立即消失。 本节将讨论实际 PN 结的开关特性。 正向时， 理想情况， 实际情况， 可见，rs 越小，E1 越大，则越接近理想情况。 2.7.1 PN 结的直流开关特性　 反向时， 理想情况， 实际情况， 可见，gl 越小，则越接近理想情况。另外，为增大 If 与 Ir 之间的差别，应采用较大的 E1 。 2.7.2 PN 结的瞬态开关特性 ts 称为存储时间，tf 称为下降时间，tr = ts + tf 称为反向恢复时间。tr 持续的过程称为 反向恢复过程。 当 E = - E2 的持续时间小于 tr 时，则 PN 结在反向时也处于导通状态，起不到开关的作用。 t t E E1 -E2 I ts tf I0 0 2.7.3 反向恢复过程 P 区 N 区 引起反向恢复过程的原因，是 PN 结在正向导通期间存储在中性区中的非平衡少子电荷 Q 。 在 tr 期间，设 P+N 结上的电压为 V( t ) ，则 , N 区中非平衡少子的变化情形如下图所示。 曲线 1 表示在 E 由 E1 变为 (-E2 ) 的一瞬间，此时， 曲线 1 ~ 4 为存储过程，即 ts 期间， 这期间 Ir 变化不大。 E1 -E2 I 0 ts 曲线 4 ~ 6 为下降过程，即 tf 期间， -E2 I 0 tf I0 2.7.4 反向恢复时间 tr 的计算 仍以 P+N 结为例。由第一章例 1-6 ，得到空穴连续性方程的积分形式， 即空穴的电荷控制方程： 为了与本节的符号相一致，将 Ip 写作 Ir ， 将 ?Qp 写作 Q ，得 这是一个关于 N 区中非平衡少子电荷 Q 的微分方程。可以明显看出，存储电荷的减少有两个途径：反向电流 Ir 的抽取和空穴的复合。 N 区 以 P+N 结为例，正向稳态时， Q If 上式将作为求解电荷方程的 初始条件 。 由此可得正向稳态时 Q 与 If 之间有如下关系： Q (0) = ?p If 当 t = tr 时，Q(tr) = 0，所以令上式为 0，即可解出 tr ， 式中， 均取决于外电路。 为求解方便，假设在整个 tr 期间，Ir 保持 (E2/RL ) 不变。 初始条件：当 t = 0 时，Q (0) = ?p If ，则微分方程的解为 (2) 从器件本身，应降低少子寿命 ?p ，这样一方面可减少正向时的存储电荷 Q = ?p If ，同时可加快反向时电荷的复合。 通常可以采用掺金、掺铂、中子辐照或电子辐照等方法来引入复合中心，从而使 ?p 减小。 减小反向恢复时间 tr 的措施 (1) 从电路上，应采用尽量小的 If ( 使存贮电荷 Q = ?p If 小 ) 和尽量大的 Ir ( 可加快对 Q 的抽取 ) 。 (3) 减薄轻掺杂一侧中性区的厚度。这可以使存储在该区的少子电荷减少。 厚基区 薄基区 WB 0 pn(0) x pn0