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溅射产额 溅射是一个离子轰击物质表面，并在碰撞过程中发生能量和动量转移，从而最终将表面原子激发出来的复杂过程。溅射产额是被溅射出来的原子数与入射原子数之比，它是衡量溅射效率的一个参数。它与入射离子能量、物质种类、和入射角等因素有关。 只有当入射离子能量超过一定的阀值以后、才会出现被溅射物表面溅射。每一种物质的溅射阀值与入射离子的种类关系不大、但是与被溅射物质的升华热有一定的比例关系。 随着入射离子能量的增加、溅射产额先是提高、其后能量达到10kev左右时趋于平缓。其后、当离子能量继续增加时溅射产额反而下降．当入射离子能量达到100kev左右时发生注入． 溅射沉积装置: 主要有以下四种溅射方法∶ (1)直流溅射；(2) 射频溅射；(3)磁控溅射；(4)反应溅射。 * (上一次课)光刻： 三要素（光刻胶、光刻模板、对准曝光机） 五步骤（基片前处理、匀胶、前烤、对准曝光 、后烤、除胶） 蚀刻之前的等离子体清胶 微系统的重要材料——硅衬底的补充说明 晶体结构：近似面心立方晶格（实际FCCA+FCCB,晶胞含8+6+4个原子、晶格常数0.543nm)； 密勒指数：设初基胞（面心立方）置于xyz坐标系中，平行于坐标平面的为（100）晶面族、平行于某一坐标轴的对角线平面为（110）晶面族、与三个轴都等节距相交的平面为(111)晶面族；表现出力学常数、加工特性等方面的各项异性； 机电特性：薄膜状态弹性极好；导电性在10-3-108之间可调； 硅压电电阻 压阻现象：固体在受到应力作用时其电阻率发生的变化的现象。P型或N型硅都具有优良的压阻效应（1954年Smith发现）。 硅晶体各向异性的事实使得电阻率-应变变化关系变得比较复杂 {△R}=[?]{σ} 其中，{△R}={△Rxx△Ryy△Rzz△Rxy△Rxz△Ryz}T代表与应力分量 {σ}={σxx σyy σzz σxy σxz σyz}T相对应的无限小立方体压阻单元的电阻率变化。在应力分量的六个独立分量中，三个是正应力分量，三个是切应力分量。[?]为压阻系数矩阵。 ?44 0 0 0 0 0 0 ?44 0 0 0 0 0 0 ?44 0 0 0 0 0 0 ?11 ?12 ?12 0 0 0 ?12 ?11 ?12 0 0 0 ?12 ?12 ?11 [?] = 式中仅出现了?11、 ?12和 ?44三个独立系数。展开为等式如下 △Rxx=?11σxx+ ?12(σyy+ σzz) △Ryy=?11σyy+ ?12(σxx+ σzz) △Rzz=?11σzz+ ?12(σxx+ σyy) △Rxy=?44σxy； △Rxz=?44σxz ； △Ryz=?44σyz 与正应力分量有关 与切应力分量有关 三个系数的实际值与与压阻元件方向和晶体晶格的夹角有关 室温下〈100〉取向P型和N型硅电阻率和压阻系数参见表7-8。这是在三维结构中压阻的描述。 在MEMS中，主要以薄带状压阻形式。因此只要考虑x、y两个方向的平面应力。对于p型硅，最大压阻系数为?44=138x10-11/Pa,对于n型硅?11=102x10-11/Pa。因此一般采用P型材料作压阻。平面压阻的典型形式和各个方向的压阻系数见图7-14和表7-9。 压阻元件的电阻变化计算： △R/R=?LσL+ ?TσT 包含纵向、横向压阻系数及尺寸变化因素 对温度的依赖性强，具体见表7-10。同一个元件在120 ℃时其压阻技术损失27% 看例题7-3 对温度的依赖性强，具体见表7-10。同一个元件在120 ℃时其压阻技术损失27% P-(100) P-(111) N-(100) 主平面(110) 主平面(110) 主平面(110) 主平面(110) 90° 135° 45° 90° N-(111) ----硅化合物： 物性特点、MEMS中应用和制备方法 二氧化硅（SiO2)： 作用：热和电的绝缘体（表7-1-电阻率1016Ωcm; 表7-3-热导率0.014w/cm℃)；作为硅刻蚀掩模（KOH中200：1); 作为牺牲层。 制备方法有：干、湿氧化、CVD、溅射。 碳化硅（SiC）： 作用：耐高温器件(高温下尺寸和化学性质稳定,熔点2300 ℃); 在KOH、HF中刻蚀保护； 制备方法：CVD、溅射等各种沉积技术。 氮化硅（Si3N4，力学/热学特性比SiO2好) 作用：扩散、离子注入掩模（阻挡水及金属离子扩散、）；深层刻蚀掩模（超强抗腐蚀能力）；绝缘层；光波导；防止有毒流体侵入的密封材料。CVD法制备。 多晶硅（力学/热学特性各向同性) 作用：电阻、压阻、简易欧姆接触等广泛用途。 常用LPCVD法制备。 微系统薄膜材料的制备方法 内容: 1 薄膜材料的物理汽相沉积-热