（薄厚膜混合集成电路）第3章 厚膜材料.ppt

微电子与固体电子学院 杨邦朝 2011.05.25 组成： （1）功能材料：赋予浆料导电、电阻、介质的性能； 主要有：金属或金属氧化粉末、玻璃。 （2）溶剂：有机溶剂：松油醇、贴品醇、醋酸丁基卡 必醇酞酸二丁酯、异丁酸三甲基胺戊二醇 作用：分散固体成分、调节粘度，便于丝网印刷。 这些溶剂在干燥和初始烧结阶段被去除。 贵金属厚膜导体浆料是以Pt、 Au、Pd、 Ag等金属及其合金作为导电相的导体，其性能稳定、工艺成熟。 银导体虽然导电性能好、成本也较低，但在高温、高湿和强电场作用下会产生银离子迁移，造成元器件失效。银导体还容易与电阻浆料起反应，如与Pd-Ag玻璃釉电阻反应严重。 　　常用的贵金属导体有： Ag基（Ag、Ag-Pd、Ag-Pt、Ag-Pd-Pt）导体 Au基（Au、Au-Pd、Au-Pt、Au-Pt-Pd）导体 1、纯Ag导体 组成：导电相 ：Ag粉 粘结相：Pb- B-Si 玻璃粉 性能：导电性好，附着力强、可焊性好、 成本低。 缺点：高温、高湿和强电场作用下会发生银 离子迁移（也叫飞银）现象。 银离子迁移: 现象： 当银作为电极流过直流电流时，从阳极来的银在阴极呈树枝状生长，导致短路发生。 产生原因： 首先银以Ag+状态溶在基质（树脂粘结剂）吸 附的水分中，Ag+与水中的 OH－反应生成 AgOH，AgOH极不稳定，立即分解为Ag+ ， Ag+又经还原反应析出。 2Ag+＋ OH－ →2AgOH 2AgOH→2Ag++OH－ Ag+ + e →Ag 还原成金属Ag析出造成短路。 银迁移发生条件： 1.电势差，可小至1V； 2.介质有污染； 3.湿气形成液体膜。 形成端头相对的导体图案，端头间隙，代表以后电路要使用的导体间隔。 在间隙上加上一个小的偏压(1～2V)。 用去离子水桥接间隙，对于有强迁迁移倾向的金属，几秒钟内就可在负端看到枝状物生长。 解决方法： 使用改性粘结剂以减少水分； 使用银浆料的部件置于气密条件下，进行气密封装，让银浆料在上下夹心的保护下阻止水分的侵入。 在银浆中，加入Pd粉 加入CdO等氧化物改性剂 2、Ag－Pd导体： Ag-Pd导体是厚膜电路中目前应用最广泛的 一种导体，与目前常用的电阻材料的相容性好，Pd 含量高时可与Pd-Ag电阻同时烧成，Pd含量低时可 与Ru系电阻同时烧成。 组成：导电相：Ag（主要的导电相）、少量的Pd （抑制Ag+迁移、生成Pd-Ag合 金，束缚Ag+的活性）。 粘结相：Pb- B-Si 玻璃粉 Ag的含量 导电性 银离子的迁移 Pd含量 银离子迁移 导电性 当Pd含量10%时，银离子迁移 Pd含量常在15～25wt%,典型值为20wt%。 性能： 烧结温度：700～1000℃,保温时间10min. 方阻：25～40mΩ/□. 缺点：高温下Pd易氧化成PdO, PdO为半导体物 质，使导电性和可焊性下降。 　　Ag-Pd导体的组成和特性 从上表可知，浆料中一般要加入Bi2O3，为了 增加导体的附着强度，提高导体的焊接性能。 原因： 1. Bi2O3为助熔剂，烧结时可熔入玻璃，成为 玻璃的一部分，这相当于玻璃含量增加，所以， 附着强度增加。 2. Bi2O3可与Al2O3基板在820℃时生成低共熔物： Al2O3+ Bi2O3→(Bi·Al)2O3,把导体中的玻璃(Bi)与 基板(Al)结合起来，所以使附着强度增加。 从性能表可看出，导体的老化附着强度低于常温附着强度，原因： 当导体用Sn焊接时（加热），Sn与Bi2O3发生反应： 2 Bi2O3 + 3Sn → 4Bi + 3SnO2 , 将Bi2O3中的Bi还原出来，相当于玻璃含量↓，所以使附着力↓。 Sn和Pd也可生成PdSn3、Ag3Sn等金属间化合物，导致导体膜体积膨胀，从而破坏了玻璃的网状结构使附着强度下降。 提高老化附着力的方法： 采用低Sn的焊料(如Sn:Pb=1:9) 加入少量高价金属氧化物（如：Cu0、ZrO等) 调整配方中Pd的含量以减少Bi2O3 的还