晶片介绍教育训练.pptVIP

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2016-12-12 发布于江苏
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晶片介绍教育训练.ppt

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晶片結構四大結構: P型層, N型層, 基層(Substrate)與電極電極分上電極及下電極材料部份有Aluminum及Gold 依P型層及N型層的位置,分為兩種:P型層在上,則為P-typeN型層在上,則為N-type 基層一般為GaAs, GaAlAs,…等晶片結構 IR晶片結構 SIR 晶片結構 HIR 晶片結構 PD 晶片結構 PT 晶片種類 IR: 10mils,11mils,12mils,14mils, SIR: 14mils HIR: 13mils PD:24mils,40mils,60mils,90mils,120mils PT: 24×24mils,24×18mils,20×20mils 機種與晶片選用 IR:10mils,11mils,12mils 適用於IR908/928/939系列產品 IR:12mils,14mils 適用於LAMP/SMD IR系列產品 SIR: 14mils 適用於LAMP/SMD SIR系列產品 HIR:13mils 適用於LAMP/HIR系列產品機種與晶片選用 PD:24mils 適用於SMD/LAMP PD系列產品 PD:40mils 適用於LAMP PD系列產品 PD:60mils,90mils,120mils 適用於SIDE LOOK PD系列產品 PT: 24×24mils,24×18mils,20×20mils 適用於SIDE LOOK/LAMP/SMD PT系列產品總結晶片取用規格仍取決於晶片廠商 -代用晶片廠商 -技術合作(OPTEL,VISHAY,OPTO TECH----) 建立Second source Cost down * * 研二部紅外線晶片介紹目錄: 晶片簡介晶片材質晶片結構晶片種類機種與晶片選用總結報告人:沈素靖紅外線晶片介紹 IR(Infrared Emitter Diode) 　1. 940nm--------IR 2. 875nm--------SIR 3. 850nm--------HIR　晶片簡介晶片簡介 PD (Photodiode) 　Rang of Spectral Bandwidth: 400~1100 nm Wavelength of Peak Sensitivity: 940nm PT (Phototransistor) 　Rang of Spectral Bandwidth: 400~1100 nm Wavelength of Peak Sensitivity: 940nm 晶片簡介 IR-----GaAlAs / GaAs砷化鋁鎵/砷化鎵 SIR----GaAlAs 砷化鋁鎵 HIR----GaAlAs 砷化鋁鎵 PD-----Silicon 矽 PT-----Silicon 矽晶片材質