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CMOS工艺下微压力传感器研究摘要 CMOS结合MEMS制作的压力传感器容易在芯片上集成，且具有体积小、功耗低、性能高等优点。本文研究了一种基于CMOS工艺与MEMS工艺结合制造的微压力传感器。并对传感器的工作原理、版图设计、加工工艺等方面进行了研究。利用MOS管沟道区域的压阻效应、MOS管电学特性等理论知识，设计了压力传感器的结构，本次设计的压力传感器结构简单、体积小、具有较好的灵敏度。本文还对传感器的力学特性和电学特性进行了仿真，通过仿真得到传感器灵敏度为185mV/Mpa。最后根据传感器的原理设计了版图，在芯片制造厂商进行了流片，并对传感器制作过程中所涉及到了基本工艺进行了探讨，设计了MEMS加工所需的掩膜版。关键字 压阻效应 压力传感器 CMOS MEMSA Micro Pressure Sensor Based On CMOSABSTRACT CMOS combined with MEMS pressure sensor is easy to integrated on chip.It has small volume, low power consumption and high performance.This paper research on a CMOS and MEMS compatible inregrated pressure sensor.This paper describes the work theory,structure design,fabrication process of pressure sensor.The main contents of the paper are about a pressure that based on the piezoresistive effect of MOSFET channel region, the electrical characteristics of the MOSFET.The pressure sensor is small ,simple and has a good sensitivity.The mechanical properties and electrical characteristics of the sensor are simulated,and The sensitivity of the sensor is 185mV/Mpa.According to the principle of the sensor,we design the necessary map.we make chips in the chip manufactures.The key parts of sensor’s production process involved in the MEMS and CMOS technology are explores in theoretical aspects. And we design the necessary lithograthy mask design map.Keywords piezoresistive effect pressure sensor CMOS MEMS目录引言1第一章 绪论21.1压力传感器概述21.2 传感器制造工艺概述21.2.2 MEMS工艺概述31.2.3 CMOS和MEMS工艺结合31.3研究现状41.4课题研究意义61.5本论文的主要工作6第二章CMOS工艺下压力传感器的原理分析72.1 MOSFET管的理论分析72.2应力82.3压阻效应92.3 本章小结10第三章 CMOS压力传感器的仿真与分析113.1传感器电路原理分析113.2压力特性的仿真与分析123.2.1传感器在压力下的形变123.2.2 传感器在压力下应力的分布133.2.3 压力特性仿真的误差来源分析163.3电路特性的仿真与分析163.4本章小结19第四章 版图设计204.1版图设计流程204.2版图设计规则与技巧214.2.1版图设计的基本元器件214.2.2版图设计规则224.2.3 版图设计的注意事项234.3版图的绘制与验证244.3.1 版图244.3.2 设计规则检查（DRC）254.3.3 版图与电路图的一致性检查（LVS）254.4后仿真254.6本章小结27第五章 芯片加工工艺的讨论285.1 CMOS加工工艺讨论285.2 MEMS加工工艺讨论285.2.1光刻工艺285.2.2刻蚀工艺295.2.3除胶工艺295.2.4 MEMS加工失败原因分析305.3 本章小节31第六章 总结与工作展望326.1 结论326.2工作展望32参考文献3