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实 验 报 告连续信号与瞬态信号的测量【实验目的】1、学习数字存贮示波器的基本使用方法;2、利用数字存贮示波器观察和测量连续周期电信号;3、利用数字存贮示波器观察和测量闪光灯瞬态信号;【实验原理】1.观察和测量连续信号的参数测量信号发生器输出的交流波形,波形有:正弦波、方波,脉冲波和TTL电平的波形.分别用示波器的交直流输入档测量.粗略描绘波形,记录其峰-峰值、周期或频率.2.相位差的测量按图1连接RC移相电路,利用示波器的光标(CURSOR)旋钮测出输入信号电压和电容两端电压之间的相位差图2所示,寻找3个频率,分别使得相位差接近0度、等于45度和接近90度.画出矢量图(图3所示的任意相位差的矢量图). (1)?图1 RC移相电路??图3 Uc、UR矢量图3.瞬态信号的测量 参见图4,闪光灯属气体放电灯,内充有高压氙气,在两端加有高压的情况下,气体迅速电离,形成电弧,此时电阻急剧下降,在灯管中流过很大的电流,储能电容用来维持放电状态初始的电离,由外加的一个高压脉冲引起.由于在放电过程中,储能电容的能量迅速下降,电容两端的电压也迅速下降,当放电过程不能维持时,闪光就终止了.如果储能电容的容量较小时,这个过程非常短,在微秒量级,要观察其放电过程,较好的方法是用存储示波器.对于极短的闪光过程,要选用合适的光电传感器,响应时间要短.这里我们给出了两种光电传感器,一种是较小面积的PIN型硅光电二极管,这种二极管在PN结中间夹了一层本征材料层,在反向偏置使用时有更小的电容更快的响应和更好的线性.它的有光照变化下的伏-安特性曲线见图5.同时我们给出另一种CdS光敏电阻.CdS光敏电阻的响应时间比较长,不适应作快速测量,在这里我们给出是为了作一个比较,在快速测量中取样电阻也要小,以减少高频损失。 图4中R1为储能电容,Ce为放电时的电流取样电阻,R2为光电传感器D的光电流取样电阻,Ce与闪光灯并联用这个电路,我们可以同时测量出闪光信号和储能电容Ce的放电电流如果Ce两端的电压在放电前后分别为V充、V放,那么Ce输出的总能量为 (2) (3)? 以信号峰值的10% ~ 90%变化量作为基准,可计算出电流的上升速率di/dt .按图4在插件板上连线,检查无误后接通电源,当闪光发生器上的指示灯亮后,按下触发按钮,此时应有闪光发出.然后调整示波器的触发模式,使其处于单次触发状态,适当调节触发电平和通道灵敏度,就能在荧屏上看到两个取样波形,如图6所示;更换光电传感器,比较两者的差别;用两个储能电容,以串联、单个和并联的方式改变Ce的容量,测量它们的波形,并计算Ec,PR1和di / dt;为了能正确测量Ce放电的剩余电压,在按触发按钮前,应把电源开关K断开.在更换储能电容时不要碰电容的电极,要确保电容已经放电.图6 两个取样电阻上信号波形为了保证硅光电二极管D始终保持反向偏置,要适当调整D与闪光灯的位置,使D上的最低电压在3V左右。【实验数据记录、实验结果计算】相位差的测量方法一 方法二 方法一方法二频率 /U /V/V100.5Hz490.00.30913.213.60.3031.003kHz196.01.2411.03.761.2210.02kHz24.401.5411.40.4121.53根据理论 得 f=100.5Hz时,=0.271 f=1.003kHz 时,=1.22f=10.02kHz 时,=1.53瞬态信号的测量电容放电前电压放电后电压电阻 电阻 峰值电压数据2.2407.1V27.7V0.105013.4V放出的能量 峰值功率90%左右的数据: 电压 12.0V 时间 0.510%左右的数据: 电压 1.3V 时间 3.0【对实验结果中的现象或问题进行分析、讨论】相位差的测量将方法一和方法二的值进行比较,并分别与理论值进行比较:100.5Hz 时 1.003kHz 时 10.02kHz 时 分析它们的相对误差可看出:100.5Hz时的测量值与理论值误差比较大,而频率越大,误差就越小,这可能是电容的特性使得在频率较高时与理论值很接近,在频率较低时和理论、值偏差较大。方法一和方法二相对误差很小,验证了这两种方法的等效性。瞬态信号的测量从放出的能量0.18J和峰值功率可以看出,闪光发出的能量其实并不大,但是时间极短,所以导致其峰值功率非常高。讨论示波器显示的波形不同的原因:两列波的起点和峰值出现的时间不同,CH2在前,CH1在后,这主要是因为光敏电阻具有一定的响应时间,虽然这个时间极短,但是由于整个闪光时间和放电时间也极短,所以光敏电阻的响应时间被如实反映在了图像之中。【附页】 思考题:分析实验内容1引起相位差的原因。答:这主要是电容引起的相位滞后导致的,由于电容两端的电势差取决于电容所带电荷数,所以有交流
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