复旦大学集成电路工艺原理7.pptVIP

* 3、光干涉法（Interferometry） 由光的相干原理，膜表面与界面反射二束光相干涉。由光学原理，两束光的光程差为入射光的波长整数倍时出现加强的亮度 n：二氧化硅折射率 ?：入射光波长 如? =589.6 nm m：干涉级数 垂直入射时: * 4、椭偏法（Ellipsometry） 单色光经过起偏器变成偏振光，再经1/4波片变成椭圆偏振光，照射样品，再经过膜的反射、检偏后进入光电管。 两个相互垂直的偏振光的分量的振幅与相位变化是与膜厚度及折射率有关，查图表（软件自动计算）可得到厚度。 * 椭偏法是一种非常精确、非常灵活的测试方法 厚度测量: 测量结果给出周期性的厚度结果 需要知道薄膜的一些性质 多种波长测量 厚度和折射率（refractive index）： 可以决定不同材料的厚度及折射率 多层薄膜： 可以用多波长和多角度来决定多层薄膜的厚度 * 正电压加在金属电极上，相当于积累区（accumulation） 负电压引起衬底部分耗尽（depletion） 进一步加负电压，使得反型层（inversion）出现。 三、电学测量 QG=qNDxD+QI * 低频时，QI完全平衡了栅上电荷，因此Cinv=Cox 在高频时，由于QI跟不上频率的变化，所以Cinv为Cox和CD的串联。 LF1Hz 深耗尽：在快速扫描时，由于QI跟不上扫描速度的变化，因此x