数字电路第三章123分析.ppt

例3.5.1：计算参数设计是否合理 5V -8V 3.3KΩ 10KΩ 1KΩ β=20 VCE(sat) = 0.1V VIH=5V VIL=0V 例3.5.1：计算参数设计是否合理 将发射极外接电路化为等效的VB与RB电路 当 当 又 因此，参数设计合理 3.5.2 TTL反相器的电路结构和工作原理 一、电路结构 设二、电压传输特性 二、电压传输特性 二、电压传输特性 需要说明的几个问题：三、输入噪声容限 3.5.4 TTL反相器的动态特性 一、传输延迟时间 1、现象 二、交流噪声容限 （b）负脉冲噪声容限 （a）正脉冲噪声容限当输入信号为窄脉冲，且接近于tpd时，输出变化跟不上，变化很小，因此交流噪声容限远大于直流噪声容限。 三、电源的动态尖峰电流 2、动态尖峰电流 3.5.5其他类型的TTL门电路 一、其他逻辑功能的门电路 1. 与非门 2. 或非门 3.与或非门 一、高速系列74H/54H （High-Speed TTL） 电路的改进 (1)输出级采用复合管（减小输出电阻Ro） (2)减少各电阻值2. 性能特点 速度提高的同时功耗也增加3.5.6 TTL电路的改进系列 （改进指标：) 二、肖特基系列74S/54S（Schottky TTL） 电路改进 采用抗饱和三极管 用有源泄放电路代替74H系列中的R3 减小电阻值2. 性能特点 速度进一步提高，电压传输特性没有线性区，功耗增大 三、低功耗肖特基系列 74LS/54LS （Low-Power Schottky TTL）功耗仅为74H系列的十分之一，dp仅为74S系列的三分 之一，目前是主流。 四、74AS,74ALS （Advanced Low-Power Schottky TTL）74AS：速度提高，缺点：功耗大，比74S略大74ALS：dp是TTL电路所有系列中最小的一种。未来的主流。 五、74F（Fast TTL）速度和功耗都介于74AS和74ALS系列之间。 3.3.5 其他类型的CMOS门电路 一、其他逻辑功能的门电路1. 与非门2.或非门 带缓冲极的CMOS门 1、与非门带缓冲极的CMOS门 2.解决方法 带缓冲级的好处：输出电阻、输出的高、低电平以及电压传输特性将不受输入端状态的影响。 二、漏极开路的门电路（Open-Drain Output :OD门） 三、 CMOS传输门及双向模拟开关 1. 传输门 2. 双向模拟开关 CMOS传输门和CMOS反相器是构成各种逻辑电路的基本单元电路，可以组成各种复杂逻辑电路，如数据选择器、寄存器、计数器等等。 目前CMOS模拟开关的导通电阻已降到20欧姆以下。 四、三态输出门 三态门的用途： 3.3.6 CMOS电路的正确使用 一、输入电路的静电防护CMOS电路的输入保护二极管和限流电阻的几何尺寸有限，能承受的静电电压和脉冲功率均有一定的限度。例如：服装摩擦可能产生数千伏电压，足以将CMOS电路损坏 应注意事项： 1、在存储和运输CMOS器件时不要使用容易产生静电高压电化工材料和化纤织物包装，最好采用金属屏蔽层做包装材料; 2、组装或调试时，应使电烙铁、仪表、工作台或其他工具等良好接地。操作人员的服装和手套等应选用无静电的原材料制作; 3、不用的输入端不应悬空。 二、输入电路的过流保护 由于输入保护电路的钳位二极管电流容量有限，一般为1mA，所以在可能出现较大输入电流的场合必须采用以下保护措施： 1、输入端接低内阻信号源时，应在输入端和信号源之间串入保护电路，起限流作用。 2、输入端接有大电容时，也应该串入保护电阻，起限流作用。原因：电容的充放电，产生较大的瞬态电流通过保护二极管。 3、输入端接长线时，也应该串入保护电阻，起限流作用。原因：长线上伴有分布电容和分布电感，在输入信号发生变化时只要门电路的输入阻抗与长线的阻抗不匹配时，将在CMOS电路的输入端产生附加的正负震荡脉冲。 三、CMOS电路锁定效应的防护 锁定效应(Latch-up) 或成为可控硅效应(Silicon Controlled Rectifer) 其实就是CMOS管在电源和地之间形成低电阻通道，有很大的电流流过电路。除非切断电源或将电源电压降低到很低，这种导通状态将一直持续下去。所以这种现象称为锁定效应。 注意：锁定效应的持续会造成器件的永久损坏。 为防止锁定效应可以采用措施： 1、在输入和输出端设置钳位电路，以确保输入和输出电压不超过规定范围。 2、当VDD可能出现瞬时高压时，在CMOS电路的电源输入端加上去耦电路，即并联一个或多个适当容值电容。 3、当系统由几个电源分别供电时，各电源的开关顺序必须合理。启动时应先接通CMOS电路的电源，然后再接通输入信号和负载电路的电源。关机时正好相反。 3.3