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计算Figure 0.7中M1的栅电容和扩散电容。假设源区和漏区为矩形，宽1um，长0.5um。（1）利用表3.5的参数确定电容值。mj=0.5，mjsw=0.44（2）计算以下电压条件下存储在节点In上的电荷量Q3.173. NMOS和PMOS如图0.3所示。器件处于何种工作状态（饱和？线性？截止区？）及不同偏置条件下的漏电流ID (W/L=1)NMOS: kn’=115 μV/A2, VT=0.43V, λ=0.06V-1, PMOS: kp’=30 μV/A2, VT=-0.4V, λ=-0.1V-1, 7. 由表0.2所示数据确定MOS器件（采用深亚微米工艺）参数。器件适用于通用MOS模型，由材料参数，有VDSAT=-1V -2ΦF=-0.6V注：表3.3所示数据不再适用于本题该晶体管为PMOS还是NMOS？为什么？确定VT0确定γ确定λ确定MOS工作状态（线性？饱和？速度饱和？截止？）8. NMOS器件置于图0.4所示电路中，Vin=2V。电流源输出I=50uA，R为一可变电阻，变化范围10kΩ-30kΩ，晶体管M1存在短沟道效应，并具有以下参数：k’=110 ×10-6V/A2, VT=0.4V, VDSAT=0.6V, (W/L)=2.5u/0.25u注：忽略体偏置效应和沟长调制效应（γ=0，λ=0）当R= 10kΩ时，确定M1工作区， VD, VS当R= 30kΩ时，确定M1工作区，VD, VS当R= 10kΩ时，如λ≠0，VS会增加还是降低？为什么？NMOS的I-V曲线，(W/L)=1，无速度饱和效应-2ΦF=0.6V确定VT0确定γ确定λ列出方程6. 考虑如下图所示NMOS反相器，假设所有NMOS器件的体端均接地，输入IN电压摆幅2.5V。建立方程，计算节点x电压。（设γ=0.5）M2处于何种工作状态？ （设γ=0）当IN=0时，OUT输出电压是多少？（设γ=0）设γ=0，λ=0。推导反相器阈值电压VM的表达式。 注：M1，M2，M3的宽长比分别为（W/L）1， （W/L）2，（W/L）3。 在下列条件下，阈值电压是多少？5.3 NMOS反相器如图5.3所示解释该电路为何可被视为一反相器确定VOH, VOL，计算VIH，VIL 计算NML, NMH计算输入为（i）Vin=0V和（ii）2.5V时的平均功耗5.7 考虑Fig 5.5所示电路。M1为一标准CMOS器件，M2阈值电压为-0.4V，其它参数与M1参数相同。对于耗尽型器件M2，假设所有决定器件工作状态的电流方程与一标准NMOS相同，输入IN变化范围0 - 2.5V。问：M2栅极与源极相连，如果VIN=0V，输出电压是多少？稳态条件下，M2处于何种工作区？输入VIN=2.5V时，计算输出节点的电压（注：VOUT很小）。稳态条件下，M2处于何种工作区？设Pr(IN=0)=0.3，该电路静态功耗是多少？5.8 通过一NMOS晶体管对电容充电，如图5.6所示。确定电路中的tpLH，假设输入为一理想阶跃电压如用一5kΩ的电阻Rs对电容进行放电，确定tpHL计算电源对电容充电消耗的能量，这其中有多少消耗在M1上？放电过程中有多少能量消耗在下拉电阻？如果电阻Rs降为1k Ω，结果会有何变化？如用一PMOS代替NMOS，确定其尺寸使kp=kn。这样的结构是否比采用NMOS速度更快？解释原因。5.12 考虑图5.9所示驱动电路。输出节点电压摆幅是多少（γ=0）？i）估算由电源获得的能量。ii）假设输入变化的上升和下降时间为0。计算输入由0变化为2.5V时消耗的能量。计算输入由2.5变化为0V时消耗的能量。假设上升时间为0，VOL为输入为0时的输出，VOH为输入为2.5V时的输出。计算tpLH，（如VOL → (VOH+VOL)/2）。5.15 确定反相器链尺寸 a. 为通过一最小尺寸反相器（Ci=10fF）驱动一大电容（CL=20pF），引入两级缓冲器，如图5.12所示。设最小尺寸反相器传输延时为70ps，且逻辑门的输入电容与其尺寸成正比。确定两级缓冲器的尺寸及反相器链最小延时。 b. 如可以加入任意多级反相器使延时最小，应加入几级？具体延时数值为多少（考虑自载效应）？ c. 解释方案a和方案b的优缺点