第三章 光源1课题.ppt

第三章 光 源3.1 基础知识3.2 半导体激光器（LD）3.3 半导体发光二极管（LED）3.4 半导体激光器（LD）与发光二极管（LED）的比较 3.1 基础知识  1. 光子的概念 已经证明光具有波粒二象性。在传播特性方面，表现出波动性。如反射、偏振等现象；在与物质相互作用时，又表现出粒子性。如黑体辐射、光电效应中表现出的粒子所具有的动量和能量性质。在光量子学说中，光波看作是由量子化的微粒组成的电磁场，这些量子化的微粒称为光量子，即光子。 一个光子能量E为: E=hf(3-1) 式（3-1）中，为普朗克常数（h=6.628*10-34（焦耳·秒）），f为光波频率。 处于同一几何空间内，并且具有相同的频率、相同的运动方向和相同的偏振态的光视之为处于同一状态。处于同一状态的光子数不受限制，并且彼此不可区分。不同状态（如频率）的光子，能量不同。 3.1 基础知识  2.原子能级 物质是由原子组成，而原子是由原子核和核外电子构成。原子有不同稳定状态的能级。最低的能级E1称为基态，能量比基态大的所有其他能级Ei（i=2，3，4，…）都称为激发态。当电子从较高能级E2跃迁至较低能级E1时，其能级间的能量差为 ?E= E2- E1(3-2) 跃迁的结果是释放出光子，这个能量差与辐射光的频率f21之间有以下关系式 ?E= E2- E1 =h f21(3-3) 利用光子的概念和原子能级的理论，就可以解释，为什么可以利用半导体材料发光了。 3.1 基础知识  3. 光的发射与吸收过程 光的发射和吸收是光与物质（原子）作用的结果，光与物质的相互作用，使得组成物质的原子可以从一个能级跃迁到另一个能级。 光的发射和吸收行为，包括三种基本过程，即受激吸收、自发辐射和受激辐射。 （1）自发辐射 处于高能级（ E2 ）的原子，在不受外界作用的情况下，自发地向低能态（ E1 ）跃迁，并发射一个能量为hf21的光子，这个过程称为自发辐射，如图3-1所示。 hf21 = E2- E1(3-4) 自发辐射的特点：因为每个原子的自发辐射过程都是独立进行的，所以新发射的光子虽然频率相同，但其运动方向和初位相是无序的；自发辐射产生的光是非相干光。 自发辐射是发光二极管的理论基础。 3.1 基础知识  （2）受激辐射 在高能级（ E2)上的电子，受到能量为的外来光子激励（满足（3-4）式），使电子被迫跃迁到低能级（ E1 ）上与空穴复合，同时释放出一个光子。由于这个过程是在外来光子的激励下产生的，所以这种跃迁称为受激辐射，如图3-2所示。 受激辐射的特点：受激辐射产生的光子与外来激励光子的状态完全相同，即两者不但同频率，而且同位相，同偏振，同传播方向，是相干光；当有大量原子处于能级时，就会发生雪崩式的连锁反应，从而产生大量的受激辐射光子，这些光子是相干的。 受激辐射是半导体激光器的理论基础 . 3.1 基础知识  （3）受激吸收 在正常状态下，电子通常处于低能级E1 ，在入射光的作用下，电子吸收光子的能量后(满足（3-4）式)跃迁到高能级E2 ，成为自由电子，产生光电流，这种跃迁称为受激吸收，如图3-3所示。 受激吸收的特点：受激吸收过程只要求外来光子的频率满足（3-4）式，而对其偏振和运动方向没有特殊要求。。 受激吸收是光电检测器的理论基础。 3.1 基础知识  4. 粒子数反转 受激辐射是半导体激光器发光的基础。而要在此基础上，实现光放大，则必须实现粒子数反转。 设低能级上的粒子数密度为N1，高能级上的粒子数密度为N 2，在正常状态下， N1 ＞ N2，即受激吸收大于受激辐射。若想物质产生光的放大，就必须使受激辐射大于受激吸收，即：使N2 ＞ N1，这种粒子数的反常态分布称为粒子（电子）数反转分布。 粒子数反转分布是使物质产生光放大而发光的必要条件。 能带——电子所处的能态扩展成的连续分布的能级。 价带——能量低的能带。 导带——能量高的能带。 禁带Eg——导带底的能量Ee 和价带顶能量Ev间的能量差 在热平衡状态下，能量为E的能级被电子占据的概率为费米分布费米能级 ——用于描述半导体中各能级被电子占据的状态，在本征半导体中，被电子占据和空穴占据的概率相同。 在本征半导体中， 位于禁带中央；N型半导体中 Ef增大；在P型半导体中减小。半导体的能带和电子分布 3.1 基础知识  5.电注入半导体发光 由于半导体是由大量原子周期有序的排列构成的共价晶体，相邻原子之间的相互作用使得电子在整个半导体中进行共有化运动，所处的离散能态扩展成连续分布的能带。 在半导体的PN结中，其中心区域是空间电荷区。当PN结加上正向电压时，多数载流子（P型半导体的多数载流子是空穴，而N型半导体的多数载流子是电子）向空间电荷区运动