第02章放大器的基本原理解说.pptVIP

第二章 放大器的基本原理 耗尽型NMOS的转移特性曲线当UGS降至一定负值时，反型层消失，漏极电流ID则降为零，这时的UGS称为夹断电压（UP ）。 第三节 基本放大电路 第一节 晶体二极管 第二节 晶体三极管 第四节 射极输出器 第五节 场效应管及其放大电路 第二章 放大器的基本原理 二、绝缘栅场效应管的主要参数 1.开启电压UT或夹断电压UP： 2.直流输入电阻RGS：即在栅、源极之间加的电压与栅极电流之比。——非常大 3. 低频跨导gm：表示场效应管放大能力。gm＝ΔID /ΔUGS｜UDS＝常数 4. 击穿电压 在保存时，必须将三个电极短接。 将MOS管漏—源极联接起来的最小UGS为开启电压UT； 使耗尽型管的漏极电流ID为零时的UGS为夹断电压UP。 第三节 基本放大电路 第一节 晶体二极管 第二节 晶体三极管 第四节 射极输出器 第五节 场效应管及其放大电路 第二章 放大器的基本原理 三、场效应管基本放大电路 耗尽型NMOS自给偏压电路 增强型NMOS分压偏置电路 第三节 基本放大电路 第一节 晶体二极管 第二节 晶体三极管 第四节 射极输出器 第五节 场效应管及其放大电路 第二章 放大器的基本原理 NMOS共源级分压式偏置电路分析 直流负载线： 交流通路 电压放大倍数： 输入电阻： 输出电阻： 第三节 基本放大电路 第一节 晶体二极管 第二节 晶体三极管 第四节 射极输出器 第五节 场效应管及其放大电路 第二章 放大器的基本原理 3. 极限参数 (1)集电极最大允许电流ICM：β值下降到原来的2/3时的IC 。 (2)集-射极击穿电压BUCE0：集电极和发射极之间的最大允许电压。 (4)集电极最大耗散功率PCM ：温度升到晶体管的最高允许温度时，在集电极上耗散的功率值被规定为集电极最大耗散功率。 PCM＝ICUCE PCM＞1W的管子——加散热片 (3)射-基极反向击穿电压BUEB0：集电极开路时，发射结允许的最大反向电压。 第三节 基本放大电路 第一节 晶体二极管 第二节 晶体三极管 第四节 射极输出器 第五节 场效应管及其放大电路 第二章 放大器的基本原理 五、多级放大电路 第三节 基本放大电路 一、放大电路的基本概念 二、基本放大电路及其工作状态分析 三、放大电路性能指标的计算 四、静态工作点稳定电路 第三节 基本放大电路 第一节 晶体二极管 第二节 晶体三极管 第四节 射极输出器 第五节 场效应管及其放大电路 第二章 放大器的基本原理 一、放大电路的基本概念 1．信号的输入、输出和放大 基本作用:在输入信号幅度过低时，将信号原样放大，以便满足检测、传输或输出的需要。 第三节 基本放大电路 第一节 晶体二极管 第二节 晶体三极管 第四节 射极输出器 第五节 场效应管及其放大电路 第二章 放大器的基本原理 2．放大电路的主要性能指标 （1）电压放大倍数： （2）输入电阻： 如果信号源的电动势为ES、内阻为RS 输入阻抗越大越好 ri≈rbe ri越大，ui就越大 第三节 基本放大电路 第一节 晶体二极管 第二节 晶体三极管 第四节 射极输出器 第五节 场效应管及其放大电路 第二章 放大器的基本原理 （3）输出电阻：当输入信号不变而负载电阻改变时，输出电压与输出电流之比。 负载RL实际获得的输出电压为 输出电阻越小越好： ro越小，uo就越大，电路带负载的能力强，RL的变化对输出电压的影响也越小。 2．放大电路的主要性能指标 第三节 基本放大电路 第一节 晶体二极管 第二节 晶体三极管 第四节 射极输出器 第五节 场效应管及其放大电路 第二章 放大器的基本原理 （4）通频带： 2．放大电路的主要性能指标 下限频率 上限频率 放大电路在高频和低频端的放大倍数会明显下降。 通频带：通频带越宽放大器适应能力越强 第三节 基本放大电路 第一节 晶体二极管 第二节 晶体三极管 第四节 射极输出器 第五节 场效应管及其放大电路 第二章 放大器的基本原理 （5）噪声系数 信噪比应越大越好 （有用信号功率） （噪声信号功率） 信噪比 噪声系数 衡量放大电路抑制噪声的能力 2．放大电路的主要性能指标 第三节 基本放大电路 第一节 晶体二极管 第二节 晶体三极管 第四节 射极输出器 第五节 场效应管及其放大电路 第二章 放大器的基本原理 （1）共发射极放大电路的组成： T：电流放大；C1、C2：隔直、耦合；EC：满足偏置、提供输出能量；RC：实现电压放大。二 基本放大电路及其工作状态分析 1. 基本放大电路 第三节 基本放大电路 第一节 晶体二极管 第二节 晶体