第三章逻辑门电路..pptVIP

CMOS管特性 N沟道CMOS管及其特性 C T P v O / v I v I / v O +5V – 5V T N C +5V 0V ?GSP= 0V ? (2V~+5V) =?2V ~ ?5V ?GSN=5V ? (0V~+3V)=(5~2)V b、?I=2V~5V ?GSNVTN, TN导通 a、?I=0V~3V TN和TP 至少一个导通 ?GSP ＜ VTP , TP导通 C、?I=0V~5V 2）当c=1 (+5V) ， c =0时 传输门组成的数据选择器 C=0 TG1导通, TG2断开 L=X TG2导通, TG1断开 L=Y C=1 传输门的应用 CMOS逻辑集成器件发展使它的技术参数从总体上来说已经达到或者超过TTL器件的水平。CMOS器件的功耗低、扇出数大，噪声容限大，静态功耗小，动态功耗随频率的增加而增加。 0.00087~22 0.0003~7.5 2.9 BiCMOS 13 1? (1MHz) 13 74HCT 15 1.5? (1MHz) 10 74HC 105 1?(1MHz) 75 4000B 延时功耗积 (pJ) 功耗 (mW) 传输延迟时间 tpd/ns(CL=15pF) 参数 系列 3.1.8 CMOS逻辑门电路的技术参数 几种CMOS系列器件的主要参数 3.2 TTL逻辑门 3.2.1 BJT的开关特性 3.2.2 基本BJT反相器的动态特性 3.2.3 TTL反相器的基本电路 3.2.4 TTL逻辑门电路 3.2.5 集电极开路门和三态门 3.2.6 BiMOS门电路 3.2 TTL逻辑门 3.2.1 BJT的开关特性 iB?0，iC?0，vO＝VCE≈VCC，c、e极之间近似于开路。 vI=0V时: ic=VCC/RC=Ics， iBVCC/βRC vO＝VCE≈0.2V，c、e极之近似于短路,三极管工作在饱和区，做开关管使用。 vI=5V时: 0 iB VCE＝VCC－iCRc ic ≈ ?iB 放大 条件取反 iC＝ICS≈ 很小，约为数百欧，相当于开关闭合 可变 很大，约为数百千欧，相当于开关断开 c、e间等效内阻 VCES ≈ 0.2~0.3 V VCE＝VCC－iCRc VCEO ≈ VCC 管压降 且不随iB增加而增加 ic ≈ ?iB iC ≈ 0 集电极电流 发射结和集电结均为正偏 发射结正偏，集电结反偏 发射结和集电结均为反偏 偏置情况 工作特点 iB iB≈0 条件 饱 和 放 大 截 止 工作状态 BJT的开关条件 0 iB 2. BJT的开关时间 从截止到导通 开通时间ton(=td+tr) 从导通到截止 关闭时间toff(= ts+tf) BJT饱和与截止两种状态的相 互转换需要一定的时间才能完成。 CL的充、放电过程均需经历一定 的时间，必然会增加输出电压?O波 形的上升时间和下降时间，导致基 本的BJT反相器的开关速度不高。 3.2.2基本BJT反相器的动态性能 若带电容负载 故需设计有较快开关速度的实用型TTL门电路。 R b1 4k W R c 2 1.6k W R c 4 130 W T 4 D T 2 T 1 + – v I T 3 + – v O 负载 R e2 1K W V CC (5V) 输入级 中间级 输出级 3.2.3 TTL反相器的基本电路 1. 电路组成 A L 1 0 1 1 0 输出L 输入A 逻辑真值表 1. TTL与非门电路 多发射极BJT T 1 e e b c e e b c A B A L = B 3.2.4 TTL逻辑门电路 2. TTL或非门 逻辑表达式 A B ≥1 a） 集电极开路与非门电路 b） 使用时的外电路连接 C） 逻辑功能 L = A B OC门输出端连接实现线与 3.2.5 集电极开路门和三态门电路 TTL 电路 A B 2. 三态与非门(TSL ) 高阻 × × 0 0 1 1 1 0 1 1 1 0 1 0 0 1 B A 输出端L 数据输入端 CS 三态与非门真值表 A B CS L EN 逻辑符号 特点:功耗低、速度快、驱动力强 3.2.6 BiCMOS门电路 3.5.1 正负逻辑问题 3.5 逻辑描述中的几个问题 3.5.2 基本逻辑门的等效符号及其应用 3.5.1 正负逻辑问题 1. 正负逻辑的规定 0 1 1 0 正逻辑 负逻辑 3.5 逻辑描述中的几个问题