第3讲晶体三极管补充解说.pptVIP

邯郸学院精品课模拟电子技术主讲人田俊芳 信息工程学院电子工程系 第三讲 晶体三极管 一、晶体管的结构和符号 二、晶体管的放大原理 三、晶体管的共射输入特性和输出特性 五、温度对晶体管特性的影响 四、主要参数 一、晶体管的结构和符号 多子浓度高 多子浓度很低，且很薄 面积大 晶体管有三个极、三个区、两个PN结。 小功率管 中功率管 大功率管 二、晶体管的放大原理扩散运动形成发射极电流IE，复合运动形成基极电流IB，漂移运动形成集电极电流IC。 因发射区多子浓度高使大量电子从发射区扩散到基区 因基区薄且多子浓度低，使极少数扩散到基区的电子与空穴复合 因集电结加反向电压且集电区面积大，在外电场作用下大部分扩散到基区的电子漂移到集电区 电流分配： IE＝IB＋ICIE－扩散运动形成的电流IB－复合运动形成的电流IC－漂移运动形成的电流 穿透电流 集电结反向电流 直流电流放大系数 交流电流放大系数 三、晶体管的共射输入特性和输出特性 为什么UCE增大曲线右移？对于小功率晶体管，UCE大于1V的一条输入特性曲线可以取代UCE大于1V的所有输入特性曲线。 为什么UCE增大到一定值曲线右移就不明显了？ 1. 输入特性 2. 输出特性 对应于一个IB就有一条iC随uCE变化的曲线。为什么uCE较小时iC随uCE变化很大？为什么进入放大状态曲线几乎是横轴的平行线？ 饱和区 放大区 截止区 晶体管的三个工作区域晶体管工作在放大状态时，输出回路的电流 iC几乎仅仅决定于输入回路的电流 iB，即可将输出回路等效为电流 iB 控制的电流源iC 。 状态 uBE iC uCE 截止 Uon ≤ ICEO uBE 放大 Uon =βiB ≥ uBE 饱和 Uon ＜βiB ＜ uBE 四、温度对晶体管特性的影响 温度升高时，正向特性曲线 将左移，反之将右移。 温度升高，集电极电流将增大。 五、主要参数 直流参数： 、 、ICBO、 ICEO c-e间击穿电压 最大集电极电流 最大集电极耗散功率，PCM＝iCuCE 安全工作区 交流参数：β、α、fT（使β＝1的信号频率） 极限参数：ICM、PCM、U（BR）CEO * 说明： 将内部载流子的运动是以更好地理解外特性为目的。 本节课的教学目的： 1、晶体管能够放大的内部原因和外部条件是什么？为什么在上述情况下会放大？ 2、什么是晶体管的共射输入、输出特性？温度对它们有什么影响？ 3、理解晶体管三个工作区的特点，学会判断电路中晶体管工作状态的方法。 4、掌握晶体管主要参数的物理意义。 * 先突出主要矛盾，讲发射电子的运动及形成的电流；再讲少子的运动及对各极电流的影响。 * 根据什么判断晶体管的工作状态？ * 说明： 将内部载流子的运动是以更好地理解外特性为目的。 本节课的教学目的： 1、晶体管能够放大的内部原因和外部条件是什么？为什么在上述情况下会放大？ 2、什么是晶体管的共射输入、输出特性？温度对它们有什么影响？ 3、理解晶体管三个工作区的特点，学会判断电路中晶体管工作状态的方法。 4、掌握晶体管主要参数的物理意义。 * 先突出主要矛盾，讲发射电子的运动及形成的电流；再讲少子的运动及对各极电流的影响。 * 根据什么判断晶体管的工作状态？