微电子器件基础第一章补充.pptVIP

* 微 电 子 器 件基础 南京信息工程大学 电子与信息工程学院 张加宏 半导体器件内的载流子在外电场作用下的运动规律可以用一套 基本方程 来加以描述，这套基本方程是分析一切半导体器件的基本数学工具。 1.1 半导体器件基本方程的形式 半导体器件基本方程 半导体器件基本方程是由 麦克斯韦方程组 结合 半导体的固体物理特性 推导出来的。 所以泊松方程又可写成 分析半导体器件的基本方程包含三组方程。 1.1.1 泊松方程 式中 为静电势，它与电场强度 E 之间有如下关系： （1-9） 1.1.2 输运方程 输运方程又称为电流密度方程。 电子电流密度 Jn 和空穴电流密度 Jp 都是由漂移电流密度和扩散电流密度两部分所构成，即 （1-10） （1-11） 1.1.3 连续性方程 （1-12） （1-13） 式中的 Un 和 Up 分别代表电子和空穴的 净复合率。当 U 0 时表示净复合，当 U 0 时表示净产生。 所谓连续性是指载流子浓度在时空上的连续性，即：造成某体积内载流子增加的原因，一定是载流子对该体积有净流入和载流子在该体积内有净产生。 泊松方程 1.1.4 方程的积分形式 以上各方程均为微分形式。其中泊松方程和连续性方程可根据场论中的积分变换公式而变为积分形式。 连续性方程的积分形式称为 电荷控制方程。 （1-6） 的积分形式就是著名的 高斯定理， 在用基本方程分析半导体器件时，有两条途径，一条是用计算机求 数值解。这就是通常所说的半导体器件的数值模拟；另一条是求基本方程的 解析解，得到解的封闭形式的表达式。但求解析解是非常困难的。一般需先 对基本方程在一定的近似条件下加以简化后再求解。本课程将讨论第二条途径。 1.2 基本方程的简化与应用举例 例 1.1 对于方程 ( 1-9 ) （1-14） 在耗尽区中，可假设 p = n = 0 ，又若在 N 型耗尽区中，则还可忽略 NA ，得 　　若在 P 型耗尽区中，则得 例 1.2 对于方程（1-10）， （1-16） 　　当载流子浓度和电场很小而载流子浓度的梯度很大时，则漂移电流密度远小于扩散电流密度，可以忽略漂移电流密度，方程（1-10）简化为 　　反之，则可以忽略扩散电流密度，方程（1-10）简化为 例 1.3 对于方程 ( 1-12 ) 、( 1-13 ) 其中的净复合率 U 可表为 式中，? 代表载流子寿命， （1-17） 在 N 型区中，空穴的净复合率为 （1-18） （1-19） 在 P 型区中，电子的净复合率为 在 P 型区和 N 型区中，净复合率 U 可分别作如下简化。 例 1.4 将电子的扩散电流密度方程 (1-16) 同理可得 空穴的扩散方程， （1-23） （1-21） 代入电子的连续性方程 (1-12) 设 Dn为常数，再将 Un 的表达式代入，可得 电子的扩散方程， *