计算机存储器..pptVIP

EPROM芯片有一个很明显的特征，在其正面的陶瓷封装上，开有一个玻璃窗口，透过该窗口，可以看到其内部的集成电路，紫外线透过该孔照射内部芯片就可以擦除其内的数据，完成芯片擦除的操作要用到EPROM擦除器。EPROM芯片在写入资料后，还要以不透光的贴纸或胶布把窗口封住，以免受到周围的紫外线照射而使资料受损。 　掩膜式ROM图中的存储阵列及位线上的公用负载管均由NMOS场效应管组成，采用单译码方式，每根译码输出选择线可以选中一个字，字长4位，共有4个字，所有的字只能读出，不能写入。存储阵列中的基本存储单元仅由一只MOS管构成，或缺省，凡有MOS管处表示存储0，反之为1，显然，字0到字3所存储的信息分别为：0001、0010、0011及0100。这种存储阵列的内容一旦制造好后，只能读出，不能写入，用户是无法改写的 　可编程只读存储器PROM存储单元的双极型三极管的发射极串接了一个可熔金属丝，出厂时，所有存储单元的熔丝都是完好的。编程时，通过字线选中某个晶体管。若准备写入1，则向位线送高电平，此时管子截止，熔丝将被保留；若准备写入0，则向位线送低电平，此时管子导通，控制电流使熔丝烧断，不可能再恢复，故只能进行一次编程。 二、可编程只读存储器PROM EPROM的基本原理： 存储芯片可用专用写入器在25v高压下写入信息，在5v正常电压下只能读出不能写入，用紫外线照射一定时间后可擦除原存信息，然后重新写入，一般重写次数10次或更低。 三、可擦除可编程只读存储器EPROM EPROM 顶部开有一个圆形的石英窗口，用于紫外线透过擦除原有信息 一般使用专门的编程器（烧写器）进行编程 编程后，应该贴上不透光封条 出厂未编程前，每个基本存储单元都是信息1 编程就是将某些单元写入信息0 四、电擦除只读存储器EEPROM EEPROM基本原理 存储器在擦除时只需加高压对指定单元产生电流，形成电子隧道将该单元信息擦除，而其他未通电流的单元内容保持不变。 掉电后数据不丢失的存储芯片。 EEPROM 可以在电脑上或专用设备上擦除已有信息，重新编程。 可擦除十几万次 　 　特点 　1、使内部存储信息在不加电的情况下保持10年左右 　2、可以用比较快的速度将信息擦除以后重写，反复擦写达几十万次，可以实现分块擦除和重写，也可以按字节擦除与重写。还具有非易失性，可靠性能好，速度快以及容量大等许多优点 五、闪烁存储器（Flash Memory） 闪烁存储器也称快速擦写存储器。实际上闪烁存储器属于EEPROM类型，又称Flash ROM，性能优于普通EEPROM。它是Intel公司率先推出的一种新型存储器，在Pentium机主板上，用128KB或256KB的Flash ROM存放BIOS，取代了EPROM和EEPROM。因此现在称BIOS为Flash BIOS。 * WE#为低表示写，为高表示读。RAS#也做芯片的选通信号 读写操作时：当全部地址码输入后，256行中必有一行被选中，这一行中的256个基本存储电路的信息都被选通到各自的读出放大器，在那里每个基本存储电路存储的逻辑电平都被鉴别、放大和刷新。列译码器的作用是选通256个读出放大器中的一个，从而唯一地确定欲读/写的基本存储电路。并将被选中的基本存储电路通过读出放大器、I/O控制门与输入数据锁存器或输出数据锁存器及缓冲器相连，以便完成对该基本存储电路的读/写操作。 读出与写入操作是由写允许信号 WE 控制的，WE为高电平时，进行读操作，数据从引脚DOUT输出；当WE 为低电平时，进行写操作，数据从 DIN 引脚输入并锁存于输入锁存器中， 再写入选定的基本存储电路。三态数据输出端受列选通信号控制而与行选通 信号无关。 对 2164 DRAM的刷新方法是对256行逐行进行选择，同时行选通信号加低电平，但列选通信号为高电平。 这样，虽然对基本存储电路进行了读操作，把一行中 256 个基本存储电路存储的信息被选通到各自的读出放大器进行放大锁存，但不进行列选择，没有真正的输出，而是把锁存的信息再写回原来的基本存储电路，实现刷新。 存储器概述 存储器的分类 一、存储器基本概念 存储器由大量的记忆单元组成，记忆单元是一种具有两个稳定状态的物理器件，可用来表示二进制的0和1，这种物理器件一般由半导体器件或磁性材料等构成 由若干个最基本的存储单元存储一个字，字长有4位、8位、16位以及32位等，在微机中，存储器一律按8位二进制数（一个字节）编址，习惯上把一个地址所寻址的8位二进制数称为一个存储单元 存储器容量一般都很大，无论内存还是外存，均以字节为单元，常用的有210字节=1KB，220字节=1024KB=1MB，