掺硼晶硅的光衰减与掺镓晶硅20094职森读书会.pptVIP

掺硼晶硅的光衰减与掺镓晶硅 制造课：职森森 2009-4 掺硼Cz硅太阳电池的光衰减和退火行为 对于硼掺杂Cz法生长的单晶硅太阳能电池，当它暴露于光照下，电池性能会衰减，并最终达到一个稳定的效率 ，在200℃下退火后，电池性能基本能完全恢复 ： 掺硼Cz硅太阳电池的光衰减和退火物理机制 这种光致衰减现象是由于掺硼Cz硅中的间隙态氧和替位态硼形成亚稳态的缺陷结构（即硼氧复合体）所致，其形成机制如图所示： 这种缺陷结构降低了少数载流子寿命和扩散长度,使太阳能电池的性能下降 掺镓P型Cz硅电池抗光衰减机理 硅的结构为金刚石结构，其掺杂用的三五主族元素一般为替位共价态。 掺镓P型Cz硅电池抗光衰减机理 硼的共价原子半径是82 pm（1pm=10-12m）在硅晶格中有足够的空间可以形成硼氧复合体，镓的共价原子半径是126 pm，其较大的原子半径阻碍了镓和氧在硅晶格中的作用，这是掺镓不会形成亚稳态复合体的基本原理，正是这个原理抑制了掺镓Cz单晶的光衰减 针对掺硼晶硅太阳能光衰减的对策 1.使用无氧或者氧浓度地的材料：如MCz-Si或FZ-Si； 2.使用N型Cz-Si或者N型多晶硅； 3.在P型晶硅中用其他施主如镓代替硼。 4.降低硼的掺杂浓度，即高阻材料做电池，如5-10欧姆厘米 掺镓太阳能电池的技术瓶颈 镓的分凝系数很小为0.008（硼的分凝系数为0.8），镓在硅晶体内掺杂浓度变化较大，因而Cz硅棒纵向电阻率变化会很大 。 设杂质在固相和液相中的浓度分别为A和B，则分凝系数K为： K=A/B K1，杂质在液相中浓度大于固相，CZ拉单晶，杂质集中在下端。 K1,杂质在固相中的浓度大于液相，CZ拉单晶，杂质集中在上端 掺镓太阳能电池的技术瓶颈 虽然理论上掺镓硅单晶轴向电阻率控制比掺硼的难度大些，也复杂些，但是由于太阳电池对单晶电阻率的数值和分布范围要求比较宽松（0.5－6.0 Ω*cm） ，采用高纯镓为掺杂原料，通过优化拉晶工艺，可得到纵向电阻率变化不大 。 单晶棒纵向电阻率变化 掺镓电池片性能参数 电阻率为0.2-0.5Ω*cm，0.5-0.9Ω*cm ，0.9-1.9 Ω*cm 的三组掺镓电池片都具有较高的性能 电池衰减 低阻掺镓电池与掺硼电池效率和光衰减比较 问题与讨论 MOTECH CONFIDENTIAL 85％的掺镓单晶重量仍然位于0.5－2.0 欧姆厘米的范围内 掺镓电池的光衰减特性 掺硼电池的光衰减特性