教改模电1章.ppt

* * * * * * * * 例1.4.1 根据输出特性曲线分析管子的类型 解题思路 根据曲线所处的象限判断沟道类型 根据UGS= 0曲线的位置判断管类型 N沟道增强型MOS管 信息学院电子系 1.4.3 场效应管的主要参数 1. 直流参数 开启电压 UGS(th) 夹断电压UGS(off) 饱和漏极电流 IDSS 直流输入电阻 RGS 2. 交流参数 低频跨导 极间电容 3. 极限参数 最大漏极电流IDM 击穿电压: 漏-源击穿电压与栅-源击穿电压 最大耗散功率PDM 例 电路如图，当输入 uI 分别为0、8V 、10时， 输出uO = ? uGS = 0V UGS(th) iD = 0， uO= VDD uGS = 8V UGS(th) 验证uGD UGS(th) 是否成立 假设成立，uO =10V 假设处于恒流区, 得到 ： 验证uGD UGS(th) 是否成立 假设不成立，处于可变电阻区 漏-源间的等效电阻为Rds为 uGS = 10V UGS(th) 假设处于恒流区, 得到 ： 例 已知夹断电压 UGS(off) ＝-4V；漏极饱和电流IDSS＝4mA， 为保证负载电阻RL上的电流为恒流, RL 取值范围？ uGS = 0V +12V uDS = 4~12 V RL = 0~2 kΩ uDS 例 电路如图，当0 UI ≤ 3V 时，若UO / UI ≈ 1 / 3, VR＝？ VR＝－1V 信息学院电子系 1.4.4 场效应管与晶体管的比较 场效应管 晶体管 S G D e b c 电压控制器件 gm 电流控制器件 ? 多子导电，适于恶劣环境，噪声系数小 多子、少子均导电，少子受环境影响大 漏、源极可互换，种类多 互换后 差异大，种类单一 均可用于放大或开关电路 制造工艺更适于集成 信息学院电子系 本章作业 习题 1.6, 1.10, 1.11 , 1.15 信息学院电子系 本章复习 1.1 半导体基础知识 1.2 半导体二极管 1.3 晶体三极管 1.4 场效应管 基本概念 半导体 本征半导体 载流子 本征激发 复合 漂移电流 自由电子电流和空穴电流 载流子浓度 N 型半导体：掺入少量的五价元素， n p P 型半导体：掺入少量的三价元素， n p 半导体的温度特性由少子决定 PN结的形成 ：扩散电流与漂移电流 多子扩散和少子漂移达到动态平衡 由于浓度差导致多子的扩散运动 由于复合作用,出现耗尽层，形成内电场 内电场促使少子漂移,阻止多子扩散 PN结的伏安特性 UT ≈26mV，温度电压当量 反向截止 正向特性 反向击穿 齐纳击穿 雪崩击穿 PN结的电容效应: 势垒电容Cb和 扩散电容Cd 二极管的伏安特性 正向特性 反向特性 温度特性：少子原因 参数 等效模型 稳压二极管 双极型晶体管 (BJT) 发射结正向偏置 集电结反向偏置 IE= IEN+ IEP= ICN+ IBN+ IEP IC= ICN+ ICBO IB= IBN+ IEP- ICBO IE = IB+ IC，能量守恒 输入特性曲线: 输出特性曲线: 截止区 ：uBE ≤ Uon , iC ? 0 饱和区： uBE Uon ， uCE uBE 放大区： uBE Uon ，uCE ? uBE 临界饱和 ：uBE = uCE 绝缘栅型场效应管 结型场效应管 场效应管 N沟道型 P沟道型 N沟道(增强型, 耗尽型) P沟道 (增强型, 耗尽型) 结型场效应管 栅极g 漏极d 源极s 结型场效应管的特性曲线 转移特性曲线 输出特性曲线 恒流区时, 转移特性曲线基本重合 IDSS 饱和漏极电流 N沟道增强型MOS管 形成导电沟道 (UGS UGS(th) ) 特性曲线与恒流时的电流方程 IDO是2UGS(th)时,对应的漏电流 N沟道耗尽型MOS管 THE END * * 本节课的教学目的： 1、使学生初步了解本课程的内容、目的、特点、学习方法和考查方法； 2、特别提醒学生在课程中培养自己系统的观念、工程的观念、科技进步的观念和创新意识。 在今后课程进行的过程中应不断加深对上述问题的理解。 * 课程学习完毕应不惧怕新发展，自信有研究新发展的基础和能力。 * * * * * 信息学院电子系 1.3.3 晶体管的共射特性曲线 输入回路 输出回路 c b e 输入特性曲线：UCE一定时，基极电流iB与发射结压降uBE