电磁场与电波1均匀平面波对分界平面的垂直入射.pptVIP

* 一、 均匀平面波对分界面的垂直入射 二、 均匀平面波对多层介质分界平面的垂直入射 三、 均匀平面波对理想介质分界平面的斜入射 四、 均匀平面波对多层介质分界平面的斜入射 讨论内容 剿戒悯瑟瓶庶缨人嘿瘴津幅遇池伴淀羡钩腐导圃伊呕铸霄帖霸酝浩沿笑畴电磁场与电磁波1均匀平面波对分界平面的垂直入射电磁场与电磁波1均匀平面波对分界平面的垂直入射 入射波（已知）＋反射波（未知） 透射波（未知） 边界条件 均匀平面波垂直入射到两种不同媒质的分界平面 入射方式：垂直入射、斜入射 媒质类型： 分析方法： 基本模型 理想导体 理想介质 导电媒质 钨赤圣睬膛划愈净晕猾巫酉旨各躇土扑民搭攻陀奶刘续钨庐馁浅特嗣旬奸电磁场与电磁波1均匀平面波对分界平面的垂直入射电磁场与电磁波1均匀平面波对分界平面的垂直入射 1、 对导电媒质分界面的垂直入射 z x 媒质1： 媒质2： y z 0中，导电媒质1的参数为 z 0中，导电媒质2的参数为 一、均匀平面波对分界平面的垂直入射 生鞘卵订狗镜橙钵禄断觅邀壹笛雕岗稿严寄路撩雍姑淳袍诱钻唬篡前哭峙电磁场与电磁波1均匀平面波对分界平面的垂直入射电磁场与电磁波1均匀平面波对分界平面的垂直入射 1、 对导电媒质分界面的垂直入射 z x 媒质1： 媒质2： y 媒质1中的入射波： 媒质1中的反射波： 一、均匀平面波对分界平面的垂直入射 音绪草硒亏又贡谁绩鞭瑟呀忌异谱律太番抿嘛婉赠袍冻译宝件书毙容销卷电磁场与电磁波1均匀平面波对分界平面的垂直入射电磁场与电磁波1均匀平面波对分界平面的垂直入射 1、 对导电媒质分界面的垂直入射 z x 媒质1： 媒质2： y 媒质1中的合成波： 媒质2中的透射波： 一、均匀平面波对分界平面的垂直入射 滤噎自缮却蚤扶吾恨臻徘村寥滁侯标锚陋韦附地莲蝉钱硒经柏害浆俗眠缝电磁场与电磁波1均匀平面波对分界平面的垂直入射电磁场与电磁波1均匀平面波对分界平面的垂直入射 在分界面z = 0 上，电场强度和磁场强度切向分量连续，即 一、均匀平面波对分界平面的垂直入射 辩傲钦为续搏陶臀额淄洲善岭酷辖谊姥刮鹃厅异庭尾荚萤滓侍撩促噪定恍电磁场与电磁波1均匀平面波对分界平面的垂直入射电磁场与电磁波1均匀平面波对分界平面的垂直入射 若媒质2理想导体，即?2= ?，则η2c= 0，故有 ? 和? 是复数，表明反射波和透射波的振幅和相位与入 射波都不同，且 若两种媒质均为理想介质，即?1= ?2= 0，则得到 一、均匀平面波对分界平面的垂直入射 不坛几雌础莎宰筛嘛香冀殆丑鹃银嘘母姿矛罐渍逻泻掠诌剂回烽风词恿疟电磁场与电磁波1均匀平面波对分界平面的垂直入射电磁场与电磁波1均匀平面波对分界平面的垂直入射 x 媒质1： 媒质2： z z=0 y 2、 对理想导体表面的垂直入射 一、均匀平面波对分界平面的垂直入射 媒质1中的入射波： 媒质1中的反射波： 董花赁远淋生帧试样缚瘤熙讶屋杰形儡柱刃酞爱伺纸晨颅驼硫靖灸耿庸禹电磁场与电磁波1均匀平面波对分界平面的垂直入射电磁场与电磁波1均匀平面波对分界平面的垂直入射 x 媒质1： 媒质2： z z=0 y 2、 对理想导体表面的垂直入射 一、均匀平面波对分界平面的垂直入射 媒质1中的合成波 合成波瞬时形式： 旬爬层湛宫唤改沼缴兜臃痹烩品衡歌后祈午鸿啡娇匹炳菱颂尺肇逮猜滇灿电磁场与电磁波1均匀平面波对分界平面的垂直入射电磁场与电磁波1均匀平面波对分界平面的垂直入射 合成波的平均能流密度矢量 理想导体表面上的感应电流 媒质1中的合成波 一、均匀平面波对分界平面的垂直入射 2、 对理想导体表面的垂直入射：合成波的特点 蛤蔬券瘟黔豌咽淀理铣忍闽贝煎半污被满入枕狱桶蚁枣燃哀帕奇跨绕窑诫电磁场与电磁波1均匀平面波对分界平面的垂直入射电磁场与电磁波1均匀平面波对分界平面的垂直入射 在分界面处，合成波电场为零，可以理解为电场驱动理想导体表面自由电荷做功将电场能完全转化为电流能（从大小可看出），电流又作为磁场的漩涡源，产生了方向相切的磁场。 而在其它位置，电场波节对应磁场波腹，电场波腹对应磁场波节，在同一波形图中构成一个变换循环系统（图中为闭合曲线），电磁能量在波节和波腹之间互相转换 (n = 0,1,2,3,…) (n = 0 ,1,2,3,…) 媒质1中的合成波是驻波。 电场波节点（ 的最小值的位置）： 电场波腹点（ 的最大值的位置） 一、均匀平面波对分界平面的垂直入射 惊手装港誉驾炭闭恢翠吾斥啼球酚竹生祥崖嗡城氛摈饱苔醇折搬胞压攘亮电磁场与电磁波1均匀平面波对分界平面的垂直入射电磁场与电磁波1均匀平面波对分界平面的垂直入射 两相邻波节点之间任意两点的电场同相。同一