第二章 逻辑门电路课题.pptVIP

2.三态（TS ：Three state Output Gate ）门 三态门是指电路的输出除高、低电平，还有一个状态：高阻。 D EN 1 (1)控制端EN=0时的工作情况： 0 1 截止 EN— 控制端 (2)控制端EN=1时的工作情况： D EN 1 1 0 导通 截止 截止 高阻态 三态门的符号及功能表 使能端高电平 起作用 使能端低电平 起作用 A B Y 符号 △ 输出高阻 功能表 A B Y 符号 △ 输出高阻 功能表 三态门的用途： 三态门主要作为TTL电路与总线间的接口电路。 用三态门接成总线结构 用三态门实现数据的双向传输 四、 TTL电路的改进系列 为满足用户在减小功耗、提供速度、提高带载能力、提高抗干扰能力及与其他电路的电平兼容等方面的要求，对74系列进行一系列的改进和功能的扩充，派生若干子系列。 74LS×××：低功耗中速TTL，功耗是74系列的1/5，速度 与74系列相当。 74ALS×××：先进的74LS，功耗是74系列的1/10，速度是 74系列的4倍。 74HC×××：电平与TTL兼容的CMOS逻辑电路。 2.4 TTL门电路 CMOS逻辑门电路是在TTL器件之后，出现的应用比较广泛的数字逻辑器件，在功耗、抗干扰、带负载能力上优于TTl逻辑门，所以超大规模器件几乎都采用CMOS门电路，如存储器ROM、可编程逻辑器件PLD等 国产的CMOS器件有CC4000(国际CD4000/MC4000)、高速54HC/74HC系列（国际MC54HC/74HC),此外还有兼容型的74HCT和74BCT系列（BiCMOS） 2.5 CMOS门电路 CMOS电路的特点 1、功耗小：CMOS门工作时，总是一管导通另一管截止，因而几乎不由电源吸取电流其功耗极小 2、CMOS集成电路功耗低内部发热量小，集成度可大大提高 3、抗幅射能力强，MOS管是多数载流子工作，射线辐 射对多数载流子浓度影响不大 4、电压范围宽：CMOS门电路输出高电平VOH ≈ VDD，低电平VOL ≈ 0V。 5、输出驱动电流比较大：扇出能力较大，一般可以大于50 6、在使用和存放时应注意静电屏蔽，焊接时电烙铁应接地良好 一、MOS管的开关特性 MOS管可以看作是一个电压控制的电子开关 只要适当选择电路的参数（VDD、RD）和输入信号的电平， 就可以实现：输入低电平时，MOS管截止，输出高电平；输 高电平时，MOS管导通，输出低电平。 （一）MOS管的基本开关电路 2.5 CMOS门电路 （二）MOS管的开关等效电路 OFF截止状态 ON导通状态 二、CMOS反相器的电路和工作原理 （1）输入为低电平0V时； T2截止；T1导通。iD = 0， =VDD; （2）输入为高电平VDD时； T1截止；T2导通。iD = 0， =0V; 输入与输出间是逻辑非关系。 静态时VT1、VT2总是有一个导通而另一个截止，——互补 CMOS反相器的优点：工作在互补状态，流过VT1、VT2的 静态电流极小，静态功耗极小。 三、CMOS反相器的特性曲线 （一）、电压传输特性与噪声容限 1.电压传输特性 V V T2截止，T1导通 T1截止，T2导通 T1，T2都导通 阈值电压 特点： 转折区变化率大，特性更接近理想开关。 阈值电压为VDD 的一半，特性对称，因而输入端噪声容限较大。且随着电源电压提高而增大。 （二）、输入特性 CMOS门电路的插入级都有保护电路，正常情况下，不论输入高电平还是低电平，保护电路不动作，其输入电流不 大于 （三）、输出特性 输出特性与TTL电路相似， 四、其他类型的CMOS门电路 （一）其他逻辑功能的CMOS门电路 CMOS门电路中，除了反相器外还有与门、或门、与非门、 或非门、与或非门、异或门。 与非门 或非门 （二）漏极开路的门电路（OD门） 线与是指具有高阻输出的器件（各类门电路），直接连接，自动完成与逻辑的功能的连接方式。 普通CMOS门不能接成线与形式。 （三）、CMOS传输门和双向模拟开关 T1 (NMOS）、T2（PMOS）结构对称。 VI在0~VDD范围内变化时， T1、 T2 至少有一个导通，可实现信号的双向传输 CMOS双向模拟开关 模拟开关是由传输门和反相器组成。 模拟开关广泛用于多路信号的切换 （四）、三态输出的CMOS门电路 五、TTL电路与CMOS电路的接口 CMOS与TTL的相互驱动 要求驱动门必须为负载门提供合乎标准的高低电平和足够的驱动电流。 其中n、m分别为负载电流中IIH和IIL的个数，当所有负载门的输入端没有并联（指多余输入端