第二章 晶体生长课题.pptVIP

微电子技术工艺原理 天津大学电子信息工程学院 电子科学与技术系 Xie_sheng06@ 第26教学楼D区431室 Contents SiO2 (s) +SiC (s) → Si (s)+SiO (g)+CO (g), 冶金级硅:98%； Si (s)+3HCl (g) → SiHCl3 (g)+H2 (s) 分馏、除杂：三氯硅烷室温下呈液态沸点为32℃，利用分馏法去除杂质； (4) SiHCl3 (g)+ H2 (s) → Si (s)+ 3HCl (g)，EGS Si 多晶硅生料 （1）熔硅 将坩埚内多晶料全部熔化；（注意事项：熔硅时间不易长） （2）引晶 将籽晶下降与液面接近，使籽晶预热几分钟，俗称“烤晶”，以除去表面挥发性杂质同时可减少热冲击。当温度稳定时，可将籽晶与熔体接触，籽晶向上拉，控制温度使熔体在籽晶上结晶； （3）收颈 在引晶后略为降低温度，提高拉速，拉一段直径比籽晶细的部分。其目的是排除接触不良引起的多晶和尽量消除籽晶内原有位错的延伸。颈一般要长于20mm。 若晶体生长时，熔体中的初始重量M0，初始掺杂浓度C0 (w%),当生长出重量为M的晶体时，熔体剩余重量为S, 若晶体增加量为dM，晶体中的杂质浓度为Cs (w%)，则熔体中的杂质减少量 考虑熔体表面存在一个厚度为δ的薄滞留层(只有拉出晶体才产生流动),滞留层外杂质浓度为Cl。滞留层内的杂质浓度可用稳态连续性方程描述 掺杂分布 大面积高压晶闸管：高阻、高均匀性晶片 1、初始材料 2、晶体生长技术 (1) 切片 将已整形、定向的单晶用切割的方法加工成符合一定要求的单晶薄片。切片决定了晶片的晶向、厚度、锥度、弯曲度4个参数，切片损耗占1/3。 (2) 磨片（ Al2O3 和甘油混合物） ? 去除刀痕与凹凸不平；改善平整度；使硅片厚度一致(2μm)； (3) 抛光（机械抛光、化学抛光、化学机械抛光） 消除表面缺陷，获得高度平整、光洁及无损层的“理想”表面。 材料特征 径向研磨 定位面研磨 晶面定向与晶面标识 由于晶体具有各向异性，不同的晶向，物理化学性质都不一样，必须按一定的晶向（或解理面）进行切割，如双极器件：{111}面; MOS器件：{100}面。8” 以下硅片需要沿晶锭轴向磨出平边来指示晶向和导电类型。 （1）主参考面（主定位面，主标志面） 作为器件与晶体取向关系的参考； 作为机械设备自动加工定位的参考； 作为硅片装架的接触位置； （2）次参考面（次定位面，次标志面） 识别晶向和导电类型 8 ” (200mm) 以下Wafer 8 ” (200mm)以上Wafer 切片、磨片、抛光 2、晶体表征 缺陷的含义：晶体缺陷就是指实际晶体中与理想的点阵结构发生偏差的区域。 理想晶体：格点严格按照空间点阵排列。 实际晶体：存在着各种各样的结构的不完整性。 几何形态：点缺陷、线缺陷、面缺陷、体缺陷 晶体缺陷 点缺陷 缺陷尺寸处于原子大小的数量级上，即三维方向上缺陷的尺寸都很小。 线缺陷（位错） 在一维方向上偏离理想晶体中的周期性、规则性排列所产生的缺陷，即缺陷尺寸在一维方向较长，另外二维方向上很短，分为刃型位错和螺位错。 刃型位错:在某一水平面以上多出了垂直方向的原子面，犹如插入的刀刃一样，沿刀刃方向的位错为刃型位错。 螺位错:将规则排列的晶面剪开（但不完全剪断），然后将剪开的部分其中一侧上移半层，另一侧下移半层，然后黏合起来，形成一个类似于楼梯 拐角处的排列结构，则此时在“剪开线”终结处（这里已形成一条垂直纸面的位错线）附近的原子面将发生畸变，这种原子不规则排列结构称为一个螺位错 面缺陷 二维方向上偏离理想晶体中的周期性、规则性排列而产生的缺陷，即缺陷尺寸在二维方向上延伸，在第三维方向上很小。如孪晶、晶粒间界以及堆垛层错。 孪晶：是指两个晶体（或一个晶体的两部分）沿一个公共晶面（即特定取向关系）构成镜面对称的位向关系，这两个晶体就称为“孪晶”，此公共晶面就称孪晶面。 晶粒间界则是彼此没有固定晶向关系的晶体之间的过渡区。 孪晶界 晶粒间界 微电子技术工艺原理 第二章 晶体生长 谢 生 内容回顾 CMOS工艺： 光刻、氧化、扩散、刻蚀等 硅技术的历史变革革和未来发展趋势： 晶体管的诞生 集成电路的发明 平面工艺的发明 CMOS技术的发明 摩尔定律（Moore’s law） VLSI、SoC、SIP Constant-field等比例缩小原则 ITRS：技术代/节点 教学大