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9-6 原子序数衬度原理及其应用 6.1 背散射电子衬度原理及其应用 6.2 吸收电子的成像 6.1 背散射电子衬度原理及其应用 背散射电子的信号既可用来进行形貌分析，也可用于成分分析。在进行晶体结构分析时，背散电子信号的强弱是造成通道花样衬度的原因。本文主要讨论背散射电子信号引起形貌衬度和成分衬度的原理。 背散射电子形貌衬度特点 背散射电子原子序数衬度原理 背散射电子形貌衬度特点 用背散射电子信号进行形貌分析时，其分辨率远比二次电子低，因为背散射电子是在一个较大的作用体积内被入射电子激发出来的．成像单元变大是分辨率降低的原因。此外，背散射电子的能量很高，它们以直线轨迹选出样品表面，对于背向检测器的样品表面，因检测器无法收集到背散射电子而变成一片阴影，因此在图像上显示出很强的衬度，衬度太大会失去细节的层次，不利于分析。 用二次电子信号作形貌分析时，可以在检测器收集栅上加以一定大小的正电压(一般为250~500 v)，来吸引能量较低的二次电子，使它们以弧形路线进入闪烁体，这样在样品表面某些背向检测器或凹坑等部位上逸出的二次电子也能对成像有所贡献，图像层次(景深)增加，细节清楚。 右图为背散射电子和二次电子行进路线以及它们进入检测器时的情景。教材P195图12-21为带有凹坑样品的扫描电镜照片，可见，凹坑底部仍清晰可见。 虽然背散射电子也能进行形貌分析，但是它的分析效果远不及二次电子。因此，在做无特殊要求的形貌分析时，都不用背散射电子信号成像。 背散射电子原子序数衬度原理 进行分析时，样品上原子序数较高的区域中由于收集到的背散射电子数量较多，故荧光屏上的图像较亮。 右图示出了原子序数对背散射电子产额的影响。在原子序数Z小于40的范围内，背散射电子的产额对原子序数十分敏感。在 因此，利用原子序数造成的衬度变化可以对各种金属和合金进行定性的成分分析。样品中重元素区域相对于图像上是亮区，而轻元素区域则为暗区。当然，在进行精度稍高的分析时．必须事先对亮区进行标定，才能获得满意的结果。 用背散射电子进行成分分析时，为了避免形貌衬度对原子序数衬度的干扰，被分析的样品只进行抛光，而不必腐蚀。对有些既要进行形貌分析又要进行成分分析的样品，可以采用一对检测器收集样品同一部位的背散射电子，然后把两个检测器收集到的信号输入计算机处理，通过处理可以分别得到放大的形貌信号和成分信号。 右图中A和B表示一对半导体硅检测器。如果一成分不均匀但表面抛光平整的样品作成分分析时，A、B检测器收集到的信号大小是相同的。 把A和B的信号相加，得到的是信号放大一倍的成分像；把A和B的信号相减，则成一条水平线，表示抛光表面的形貌像。 右图是均一成分但表面有起伏的样品进行形貌分析时的情况。例如分析图中的P点，P位于检测器A的正面，使A收集到的信号较强，但P点背向检测器B。 使B收集到较弱的信号，若把A和B的信号相加，则二者正好抵消，这就是成分像;若把A和B二者相减，信号放大就成了形貌像。 如果待分析的样品成分既不均匀，表面又不光滑，仍然是A、B信号相加是成分像，相减是形貌像，见下图。 利用原子序数衬度来分析晶界上或晶粒内部不同种类的析出相是十分有效的。因为析出相成分不同，激发出的背散射电子数量也不同，致使扫描电子显微图像上出现亮度上的差别。从亮度上的差别，我们就可根据样品的原始资料定性地判定析出物相的类型。 6.2 吸收电子的成像 吸收电子的产额与背散射电子相反，样品的原子序数越小，背散射电子越少，吸收电子越多，反之样品的原子序数越大，则背散射电子越多，吸收电子越少。因此，吸收电子保的衬度是与背散射电子和二次电子像的衬度互补的。 因为Io＝Is+Ib+Ia+It。如果试样较厚、透射电子流强度It=0，故Is+Ib+Ia=I0。因此，背散射电子图像上的亮区在相应的吸收电子图像上必定是暗区。教材P197图12-24为铁素体基体球墨铸铁断口的背散射电子和吸收电子像，二者正好互补。 9-7 思考/作业题 1．电子束入射固体样品表面会激发哪些信号?它们有哪些特点和用途? 2．扫描电镜的分辨率受哪些因素影响，用不同酌信号成像时，其分辨率有何不同?所谓扫描电镜的分辨率是指用何种信号成像时的分辨率? 3．说明背散射电子像和吸收电子像的原于序数衬度形成原理，并举例说明在分析样品中元素分布的应用。 样品室 样品室内除放置样品外，还安置信号探测器。各种不同信号的收集和相应检测器的安放位置有很大的关系，如果安置不当．则有可能收不到信号或收到的信号很弱，从而影响分析精度。 样品台本身是一个复杂而精密的组件，它应能夹持一定尺寸的样品，并能使样品作平移、倾斜和转动等运动，以利于对样品上每一特定位置进行各种分析。新式扫描电子显微镜的样品室实际上是一个微型试验室，它带有多种附件，可使样