半导体器件物理15.ppt

* 第三章 金属－半导体结 （1）金属功函数 § 3.1 金属半导体接触及其能带图 1．金属和半导体的功函数 功函数指电子脱离物体进入周围空间（假定物体在真空中）所必须给予电子的最小能量。 由于金属中的自由电子大部分集中在费米能级附近（这是由费米分布所决定的），因而跑出来的电子大部分来自费米能级附近，因此金属的功函数 表示为： ：真空中自由电子静止能量 ：金属费米能级 功函数的大小标志着电子在金属中束缚的强弱， 越大，电子越不容易离开金属。金属的功函数约为几个电子伏特。 （2）半导体的功函数 由于半导体的费米能级随杂质浓度变化，因而 也与杂质浓度有关。N 型半导体的功函数如图所示。 在半导体中，导带底 和价带顶 一般都比 低几个电子伏特。要使电子从半导体中逸出，也必须给它相应的能量。和金属类似，把 与半导体的费米能级 之差称为半导体的功函数，用 表示，即 N 型半导体在饱和电离情况下，费米能级 可以表示为 →导带有效状态密度； →施主杂质浓度。 因此 的数值可由杂质浓度推导出来。 定义为半导体的电子亲和能，表示要使半导体导带底的电子逸出体外所需要的最小能量。 其中： 由图可知，半导体的功函数可表示为： 2．金属－半导体接触的表面势垒 （1）金属与 N 型半导体接触 1）当 时 若把一块金属和一块 N 型半导体紧密接触，并假定金属的功函数 大于 N 型半导体的功函数 ，即 。接触前、后的能带图如图所示。 接触前能带图 接触后能带图 当它们紧密接触后（忽略间隙），形成了一个统一的电子系统。由于 ，所以半导体的费米能级 大于金属的费米能级 ，即 ，半导体中的电子将向金属流动，使金属表面带负电，半导体表面带正电。它们所带电荷在数值上相等，整个系统仍保持电中性。结果降低了金属的电势，提高了半导体的电势。当它们的电势发生变化时，其内部的所有电子能级及表面处的电子能级都随同发生相应的变化，最后达到平衡状态，金属和半导体的费米能级在同一水平上，这时不再有电子的净的流动。 金属表面的负电荷是多余出来的导电电子，只占据很薄的一层（约 0.5nm）。由于半导体中施主浓度比金属中电子浓度低几个数量级，所以半导体中的正电荷将占据相对较厚的一个薄层，即在半导体表面形成了空间电荷层。和 PN 结一样，空间电荷的电场将阻止半导体中电子流入金属，达到热平衡时形成稳定的自建电场和自建电势，半导体的能带向上弯曲，形成了阻止半导体中电子向金属渡越的势垒，势垒弯曲的高度称为势垒高度。 在半导体的势垒区中，空间电荷主要由电离施主形成，电子浓度要比体内小得多，因此它是一个高电阻区域，常称为阻挡层。 ② 从金属方面看，电子的势垒高度为 ① 半导体一边的势垒高度为 （其中 ） 达到热平衡时，从半导体流向金属的电子要跨过势垒 ；而从金属流向半导体的电子要跨过势垒 。 势垒两边的电位差即接触电位差 为 （其中 ） 当金属与半导体接触形成结时，电子将从费米能级高的金属流向费米能级低的半导体，在半导体表面形成负的空间电荷区，其中电场方向由表面指向体内，能带向下弯曲。 半导体表面附近的电子浓度比体内大得多，因而是一个高电导的区域，称之为反阻挡层。 2）当 时 接触前能带图 接触后能带图 （2）金属与 P 型半导体接触 1）当 时 把一块金属和一块 P 型半导体接触形成结时，若 时，则 ，电子将从半导体流向金属，半导体能带向上弯曲，最后达到平衡时具有统一的费米能级，形成 P 型反阻挡层。 接触前能带图 接触后能带图 2）当 时 当 时，则 ，它们接触形成结时，电子将从金属流向半导体，半导体能带向下弯曲，最后达到平衡时具有统一的费米能级，形成 P 型阻挡层。 接触前能带图 接触后能带图 半导体一边的势垒高度为： 从金属方面看，空穴的势垒高度为： 达到热平衡时，从半导体流向金属的空穴要跨过势垒 ；而从金属流向半导体的空穴要跨过势垒 。