第四章 材料的凝固课题.pptVIP

4-3 晶核的形成 假定晶核? 在固态基底W 上形成，并且? 是被W平面所 截的球冠。显然，晶核? 形成 时，引起的体系表面能的变化 ?GS应为： （? 为? 与W的接触角，称润湿角） 故： 非均匀形核示意图 (?为晶核， L为液相，W为固态基底) 4-3 晶核的形成 界面面积 （球冠表面积）和 界面面积 （球冠底圆面积）可分别表示为： 可得： 晶核? 的体积（球冠体积）为： 4-3 晶核的形成 形成? 晶核所引起的体积自由能变化为： 形成? 晶核时体系总的自由能变化为： 显然： 同样可求出非均匀形核时的临界晶核半径 r*： 显然，非均匀形核时的临界晶核半径与均匀形核时的 临界晶核半径式相同 。 非均匀形核的形核功为： 4-3 晶核的形成 即有： （1）当? = 0?时，则 ，即为完全润湿的情况，非均 匀形核时无需形核功，可以直接长大，称为外延生长。 （2）当? = 180?时，则 ，晶核和基底完全不润 湿，相当于均匀形核，即基底对形核不起作用。 （3）当0? ?