光电子器件_第一章光电导探测器剖析.pptVIP

第二章2 光电导探测器(PC-Photoconductive) 某些物质吸收了光子的能量产生本征吸收或杂质吸收，从而改变了物质电导率的现象称为物质的光电导效应。利用具有光电导效应的材料（如硅、锗等本征半导体与杂质半导体，硫化镉、硒化镉、氧化铅等）可以制成电导随入射光度量变化的器件，称为光电导器件。最典型的光电导器件是光敏电阻。 ２、光电子期间的基本特性： 　光电探测器的基本特性包括： 　　　响应特性：响应率、探测率、时间常数 　　　噪声特性：信号噪声比 　　光电成像器件的特性： 　　　响应特性 　　　成像特性：分辨率、空间频率特性以及空间抽样特性 　　　噪声特性 　本节只介绍响应特性、探测率及吸收系数 3.2.1 光谱响应率和响应率 　　　光电探测器输出信号电压或电流与单位入射光功率之比、即单位入射光功率作用下探测器的输出信号电压或电流称为响应率，包括光谱响应率和积分响应率。 １、光谱响应率 　 　　　　　光敏电阻 　光敏电阻的工作原理和结构 光敏电阻的特性参数 光敏电阻的变换电路 常用光敏电阻 小结 应用实例 光敏电阻演示 当光敏电阻受到光照时，光生电子—空穴对增加，阻值减小，电流增大。 M1的理解 如何提高M 二. 光敏电阻的基本结构 （a）梳状结构：梳形电极间距很小，之间为光敏