数字电子技术基础第3章(改5版).pptVIP

3.1 二极管的开关特性 二、二极管的动态特性 二、二极管的动态特性 反向恢复时间一般在纳秒数量级。 3.2 BJT的开关特性 1. BJT的开关作用 3.2 BJT的开关特性 1. BJT的开关作用 3.2 BJT的开关特性 1. BJT的开关作用 2. NPN 型 BJT 截止、放大、饱和三种工作状态的特点 3. BJT的开关时间 3.3 基本逻辑门电路 2.3.1 二极管与门电路 3.3.1 二极管与门电路 3.3.1 二极管与门电路 3.3.1 二极管与门电路 3.3.2 二极管或门电路 基本的BJT反相器的动态性能 3.4 TTL逻辑门电路 3.4.2 TTL反相器 4. 采用推拉式输出级以提高开关速度和带负载能力 当输出为低电平时，T3处于深度饱和状态，T4截止， T3的集电极电流可以全部用来驱动负载。 2. TTL与非门电路的工作原理 任一输入端为低电平时: T1的发射结正向偏置而导通，T2，T3截止。输出为高电平。 3.4.5 TTL与非门的技术参数 4. 扇入与扇出系数 4. 扇入与扇出系数 3.6 CMOS逻辑门电路 3.6.0 复习MOS管的有关知识 3.6.0 复习MOS管的有关知识 3.6.1 CMOS反相器 3.6.2 CMOS 门电路 3.7 NMOS逻辑门电路 3.7 NMOS逻辑门电路 3.7 NMOS逻辑门电路 3.7 NMOS逻辑门电路 3.8 正负逻辑问题 3.9 逻辑门电路使用中的几个实际问题 3.9 逻辑门电路使用中的几个实际问题 3.9 逻辑门电路使用中的几个实际问题 3.9 逻辑门电路使用中的几个实际问题 3.9 逻辑门电路使用中的几个实际问题 V DD T P T N v O v I 当vI = 0 V时 VDD 1. CMOS反相器的工作原理 VGSN =0 ＜ VTN TN管截止； |VGSP|=VDD＞VTP 电路中电流近似为零（忽略TN的截止漏电流）,VDD主要降落在TN上，输出为高电平VOH TP管导通。 ≈VDD V DD T P T N v O v I 当vI =VOH= VDD时 1. CMOS反相器的工作原理 VGSN =VDD VTN TN管导通； |VGSP|= 0 VTP TP管截止。 此时，VDD主要降在TP管上，输出为低电平VOL : 2. CMOS反相器的特点 V DD T P + v SGP v O v I + – – T N i D 因而CMOS反相器的静态功耗极小（微瓦数量级）。 T1和T2只有一个是工作的， 3. CMOS反相器的工作速度 在电容负载情况下，它的开通时间与关闭时间是相等的，这是因为电路具有互补对称的性质。 平均延迟时间：10ns 小 小 1、与非门 二输入“与非”门电路结构如图 每个输入端与一 个 NMOS管和一个PMOS管的栅极相连 当A和B为高电平时: 1 两个并联的PMOS管T3、T4 两个串联的NMOS T1、T2 通 通 止 止 0 1 0 1 通 止 通 1 止 当A和B有一个或一个以上为低电平时: 电路输出高电平 输出低电平 ? 电路实现“与非”逻辑功能 2. 或非门电路 T P2 B A T N2 T N1 V DD L 1 当A、B全为低电平时 3.6.2 CMOS 门电路 0 0 输出为高电平时 2. 或非门电路 当输入端A、B都为高电平时， 当A、B全为低电平时， 3.6.2 CMOS 门电路 当A、B中有一个为高电平时 T P2 B A T N2 T N1 V DD L 0 1 1 输出为高电平时 输出为低电平时 输出必为低电平时 3. 异或门电路 V DD B A L = A ? B X 由或非门和与或非门组成 同或门？ 3.4.4 CMOS传输门 1. CMOS传输门电路 (TG) 是一种传输信号的可控开关，截止电阻107Ω，导通电阻几百Ω，所以是一个理想的开关。 结构对称，其漏极和源极可互换，它们的开启电压|VT|=2V 。 它广泛地用于采样?保持电路、 斩波电路、模数和数模转换电路等。 由互补的信号电压来控制，分别用C和 C 表示。 2、CMOS传输门电路的工作原理 设TP和TN的开启电压|VT|=2V， 且输入模拟信号的变化范围为－5V到+5V。 C T P v O / v I v I / v O +5V – 5V