硅集成电路工艺基础3剖析.pptVIP

3.6.2 气体浸没激光掺杂(GILD: Gas Immersion Laser Doping) 气体浸没激光掺杂： 用准分子激光器(308nm) 产生高能量密度(0.5-2.0J/cm2)的短脉冲(20-100ns)激光，照射处于气态源中的硅表面 硅表面因吸收能量而变为液体层 同时气态掺杂源由于热解或光解作用产生杂质原子 通过液相扩散，杂质原子进入这个很薄的液体层，溶解在液体层中的杂质扩散速度比在固体中高八个数量级以上，因而杂质快速并均匀地扩散到整个熔化层中。 当激光照射停止后，已经掺有杂质的液体层通过固相外延转变为固态结晶体。由液体变为固态结晶体的速度非常快(＞3m/s)。在结晶的同时，杂质也进入激活的晶格位置，不需要近一步退火过程，而且掺杂只发生在表面的一薄层内。 由于硅表面受高能激光照射的时间很短，而且能量又几乎都被表面吸收，硅体内仍处于低温状态，不会发生扩散现象，体内的杂质分布没有受到任何扰动。 硅表面溶化层的深度由激光束的能量和脉冲时间所决定。因此，可根据需要控制激光能量密度和脉冲时间达到控制掺杂深度的目的。 在液体中杂质扩散速度非常快，杂质的分布也就非常均匀，因此可以形成陡峭的杂质分布形式。 采用这种方法可以得到突变型杂质分布、超浅深度和极低的串联电阻。 气体浸没激光掺杂技术对工艺作出了极大的简化，成功地应用于MOS和双极器件的制造中。 1.