7_第二章__2.3_理想PN结的直流电流-电压特性概论.pptVIP

例2：画出理想二极管电路的传输特性（Vo~VI） * Physics of Semiconductor Devices * 2.3 理想PN结的直流电流－电压特性 正向电流－电压特性 二 反向电流－电压特性 三 PN结的伏安特性 理想PN结模型假设： （1）外加电压全部降落在耗尽区上，耗尽区以外的半导体是 电中性的，可忽略中性区的体电阻和接触电阻； （2）均匀掺杂； （3）小注入(即注入的非平衡少子浓度远小于多子浓度)； （4）耗尽区内无复合和产生； （5）半导体非简并。 （6）P型区N型区的宽度远大于少子扩散长度 一 正向电流－电压特性 在N型区的右侧，由于注入的非平衡少子（空穴）基本复合消失，少子的扩散电流为零，流过的电流主要是多子－电子的漂移电流少子空穴的浓度很低，其漂移电流可忽略不计 在P型区的左侧，流过的电流主要是多子－空穴的漂移电流，少子（电子）的浓度很低，其漂移电流可忽略不计。 中性区 漂移电流 漂移电流 扩散电流 扩散电流 复合 复合 N区 P区 N区：电子在外加电压的作用下向边界Xn 漂移，越过空间电荷区，经过边界XP注入P区，然后向前扩散形成电子扩散电流，但在电子扩散区域内，电子边扩散边复合，不断与从左边漂移过来的空穴复合而转化为空穴的漂移电流，直到X’P 处注入的电子全部复合，电子扩散电流全部转变为空穴的漂移电流。 扩散