合工大初试1 第一章:半导体物理基础 1.pptVIP

合工大初试1 第一章:半导体物理基础 1.ppt

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References S. M. Sze, Physics of Semiconductor Devices, 2nd Ed, Wiley, 1981 Y. Taur T. K. Ning, Fundamentals of Modern VLSI Devices, Cambridge Univ. Press, 1998 M. Shur, Introduction to Electronic Devices, John Wiley, 1996 Robert F. Pierret, Advanced Semiconductor Fundamentals, 2nd Ed, Prentice Hall, 2002 刘树林,半导体器件物理,电子工业出版社,2005 曹培栋,微电子技术基础—双级、场效应晶体管原理,电子工业出版社,2001 陈星弼,唐茂成,晶体管原理与设计,成都电讯工程学院出版社,1987 张屏英,周佑谟,晶体管原理,上海科学技术出版社,1985 半导体器件物理 作者: 孟庆巨 刘海波 出版社: 科学出版社 出版日期:2005-6-2 ISBN:7030139518 版次:第1版 晶体管原理与设计(第2版) 作者:陈星弼//张庆中 出版社:电子工业 第1版 第2次印刷 ISBN:7121022680 出版日期:2006-02-01 课程网址 /2006/psd/ 2. 晶面 概念:晶格所有格点也可以看成全部位于一系列相互平行等距的平面系上,这样的平面系称为晶面族。 晶面族 取某一晶面与三晶轴的截距,将截距倒数的互质数h,k,l 称为晶面指数或密勒指数,记为(hkl),并用来表示某一晶面。 晶面的截距 同类晶面用{hkl}表示。如果晶面和某个晶轴平行,则截距为 ,相应的指数为零。 Miller Indices The Miller indices are obtained using the following steps Find the intercepts of the plane on the three Cartesian coordinate in terms of the lattice constant. Take the reciprocals of these numbers and reduce them to the smallest three integers having the same radio. Enclose the result in parentheses (hkl) as the Miller indices for a single plane. Miller Indices 12=4x+3y Miller indices [4 3] 立方晶系中的一些常用晶向和晶面 一个特点: 立方晶系中,晶列指数和晶面指数相同的晶向和晶面之间是互相垂直的。 如:[100] ⊥ (100), [110] ⊥ (110)等 三 缺陷 实际半导体中存在各种缺陷,它们对半导体的物理、化学性质起着显著的甚至是决定性的作用。主要晶体缺陷有:点缺陷,线缺陷,面缺陷等。 (1)弗仑克尔缺陷(Frenkel Defect):原子脱离正常格点移到间隙位置,形成一个自间隙原子,同时在原来的格点位置处产生一个空位.间隙原子和空位成对出现的缺陷称为弗仑克尔缺陷。 弗仑克尔缺陷 1、点缺陷: (2)肖特基缺陷:原子脱离正常格点位置后可以不在晶体内部形成间隙原子,而是占据晶体表面的一个正常位置,并在原来的格点位置处产生一个空位。在晶体内部只形成空位的热缺陷称为肖特基缺陷。 一点说明: 它们依靠热运动不断产生和消失着,在一定温度下达到动态平衡,使缺陷具有一定的平衡浓度值。在Si,Ge中形成间隙原子一般需要较大的能量,所以肖脱基缺陷存在的可能性远比弗仑克尔缺陷大,因此Si,Ge中主要的点缺陷是空位。 肖特基缺陷 2、线缺陷,如位错;半导体单晶制备和器件生产的许多步骤都是在高温下进行,因此在晶体中产生一定的应力。在应力作用下晶体的一部分原子相对于另一部分原子会沿某一晶面发生移动。 3、面缺陷,如晶界、孪晶界、相界、堆垛层错等; 其它缺陷: 体缺陷,如包裹体、夹杂物、第二相团等;微缺陷,加漩涡缺陷,其几何尺寸为微米或亚微米级. From Sand to Wafer Quartzite Coal MGS Carbon monoxide purification MGS hrydrochloride TCS hydrogen TCS hydrogen hrydrochloride EGS Growth Techniques Reduction of quartzite

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