《数电教学课件》第3章 门电路.PPTVIP

* * 3.2　晶体管的开关特性 3.1.1　晶体二极管开关特性 3.1.2　晶体三极管开关特性 S R V 图3-1-1 理想开关 ＋ － 3.1.1　晶体二极管开关特性 　　理想开关的特性： 　　(1) 开关S断开时，通过开关的电流i=0，这时开关两端点间呈现的电阻为无穷大。 　　(2) 开关S闭合时，开关两端的电压v=0，这时开关两端点间呈现的电阻为零。 　　(3) 开关S的接通或断开动作瞬间完成。 　　(4) 上述开关特性不受其他因素（如温度等）的影响。 　　１．二极管稳态开关特性 　　当外加正向电压时，正向电流随电压的增加按指数规律增加。图中Vth称为正向开启电压或门限电压，也称为阈值电压。 iD vD Vth IS O 图3-1-2 二极管伏安特性 (a) 二极管电路表示 (b) 二极管伏安特性 iD ＋ － vD 　　稳态开关特性：电路处于相对稳定的状态下晶体管所呈现的开关特性。 　　二极管的伏安特性方程为： iD vD O iD vD Vth O 图3-1-2 二极管伏安特性 (c) 理想二极管开关特性 (d) 二极管特性折线简化 　　当二极管作为开关使用时，可将其伏安特性折线化。当正向偏置时，二极管导通，压降为Vth值，相当于开关闭合；当反向偏置时，二极管截止，流过的电流为反向饱和电流，非常小，相当于开关断开。 　　结论：在稳态情况下，二极管开关特性与理想开关存在一定差异。主要表现为，正向导通时，相当于开关闭合，但两端仍有电位降落；反向截止时，相当于开关断开，存在反向电流。此外，二极管的Vth和IS都与温度有关。 　　通常硅二极管的Vth值取0.7V，锗二极管取0.3V。 　　２．二极管瞬态开关特性 　　电路处于瞬变状态下晶体管所呈现的开关特性。具体的说，就是晶体管在大信号作用下，由导通到截止或者由截止到导通时呈现的开关特性。 　　理想二极管作开关时，在外加跳变电压作用下，由导通到截止或者由截止到导通都是在瞬间完成，没有过渡过程。但实际的二极管开关有延迟时间。 D R vI ＋ － 图3-1-3 理想二极管开关特性 ＋ － vD iD (a) O vI t (b) O vD t O iD t VF VR VR IF RC ＋ － vI ＋ － vO VCC RB T 图3-1-11 基本单管共射电路 3.1.2　晶体三极管开关特性 　　在脉冲与数字电路中，在大幅度信号作用下，晶体管交替工作于截止区与饱和区，作为开关元件使用。 　　１．三极管稳态开关特性 　　如图3-1-11所示基本单管共射电路。 　　传输特性是指电路的输出电压与输入电压的函数关系。基本单管共射电路的传输特性曲线大体上分为三个区域：截止区、放大区和饱和区。 图3-1-12 单管共射电路传输特性 vI/V vO/V 10 5 0 0.5 1 1.5 截　止 放　大 饱　和 　　当vIVth时，工作于截止区。发射结和集电结均为反向偏置，即vBvE，vBvC。此时iB≈0， iC≈0，vO≈VCC。晶体管相当于开关断开。 　　当vI大于某一数值（图中约为1V）时，工作于饱和区。发射结和集电结均为正偏，即vBvE，vBvC。且iB满足：iBIBS=(VCC－VCE(sat))/βRC此时，vO=VCE(sat)≈0； iC=(VCC－VCE(sat))/RC≈ VCC/ RC。晶体管C、E之间相当于开关闭合。 3.2　TTL集成逻辑门 R6 A VCC T4 T3 D R4 T2 R5 R3 T1 B C R1 R2 ● ● Y 图3-2-1 DTL与非门 　　早期的双极型集成逻辑门采用的是二极管－三极管（DTL）形式。由于速度较低，发展成晶体管－晶体管电路（TTL）形式。目前国产的TTL集成电路有： 　　CT54/74系列（标准通用系列）； 　　CT54H/74H系列（高速系列）； 　　CT54S/74S系列（肖特基系列）； 　　CT54LS/74LS系列（低功耗肖特基系列）； R4 A VCC T4 T3 D4 R2 T2 R3 T1 B C R1 Y 图3-2-2 CT54/74系列与非门 3.2.1　晶体管－晶体管逻辑门电路（TTL） 　　TTL与非门由三部分组成：多发射极晶体管T1和电阻R1构成电路的输入级，输入信号通过T1的发射结实现与逻辑；T2和电阻R2、R3组成中间级，从T2的集电结和发射极同时输出两个相位相反的信号，作为T3和T4输出级的驱动信号；T3、D4、T4和R4构成推拉式的输出级。 　　１．基本工作情况 R4 A VCC T4 T3 D4 R2 T2 R3 T1 B C R1 Y 图3-2-2 CT54/74系列与非门 　　当输入信号A、B、C中至少有一个为低电平(0.3V)时，T1的基极电位约为1V，因此T2和T4均