《数电教学课件》第3章门电路new.pptVIP

第3章 门电路 门电路：用以实现逻辑关系的电子电路 门电路 分立元件门电路 集成门电路 双极型集成门 单极型集成门 1、输入电压与输出电压 2、抗干容限 3、功耗 4、输入电流与输出电流 5、负载能力（扇出系数） 6、工作速度 例1：画出输出波形 A B F1 F2 F3 * * 3.1　晶体管的开关特性 3.1.1　晶体二极管开关特性 3.1.2　晶体三极管开关特性 iD vD O iD vD Vth O 图3-1-2 二极管伏安特性 (c) 理想二极管开关特性 (d) 二极管特性折线简化 　　当二极管作为开关使用时，可将其伏安特性折线化。当正向偏置时，二极管导通，压降为Vth值，相当于开关闭合；当反向偏置时，二极管截止，流过的电流为反向饱和电流，非常小，相当于开关断开。 　　结论：在稳态情况下，二极管开关特性与理想开关存在一定差异。主要表现为，正向导通时，相当于开关闭合，但两端仍有电位降落；反向截止时，相当于开关断开，存在反向电流。此外，二极管的Vth和IS都与温度有关。 　　通常硅二极管的Vth值取0.7V，锗二极管取0.3V。 R4 VCC T4 T3 D4 R2 T2 R3 T1 A R1 Y 图3-2-2 CT54/74系列与非门 3.2.1　晶体管－晶体管逻辑门电路（TTL） 　　TTL非门由三部分组成：晶体管T1和电阻R1构成电路的输入级；T2和电阻R2、R3组成中间级，从T2的集电结和发射极同时输出两个相位相反的信号，作为T3和T4输出级的驱动信号；T3、D4、T4和R4构成推拉式的输出级。 　　１．基本工作情况 R4 VCC T4 T3 D4 R2 T2 R3 T1 A R1 Y 图3-2-2 CT54/74系列与非门 　　当输入信号A为低电平(0.3V)时，T1的基极电位约为1V，因此T2和T4均不会导通。VCC经R2驱动T3和D4，使之处于导通状态。因此输出电压vO为： 　　由于基流iB3很小，可忽略不计，则 　　即输出为高电平，称电路处于关态。 R4 VCC T4 T3 D4 R2 T2 R3 T1 C R1 Y 图3-2-2 CT54/74系列与非门 　　当输入信号A为高电平(3.6V)时，T1的基极电位升高，足以使T1集电结、T2和T4的发射结导通。 T2的集电结电位约为1V，不能驱动T3和D4，使之处于截止状态。输出电压为： 　　即输出为低电平，称电路处于开态。由此可见，电路具有非门的逻辑功能。 饱和 截止 截止 饱和 倒置工作 输出低电平（开态） 截止 导通 导通 截止 饱和 输出高电平（关态） T4 D4 T3 T2 T1 表3-2-1 TTL门电路各晶体管工作状态 vI/V 3 2 1 0 1 2 3 a vO/V b c d e Vth 图3-2-3 电压传输特性 3.2.2　TTL非门的主要外部特性 　　１．电压传输特性 　　ab段：对应vI0.6V，T1正向饱和导通，T2和T4处于截止状态，T3和D4导通，输出高电平(3.6V)。称为截止区，电路处于稳定的关态。 　　bc段：对应vI≈0.6～1.3V，T1正向饱和导通， T2导通，但T4处于截止状态。随着输入电压的上升，输出电压将近似线性下降。所以这一段称为线性区。 　　cd段：对应vI1.3V，T4开始导通。当vI增加时，输出电压急剧下降，T3和D4趋向截止，T4趋向饱和，电路状态由关态转换为开态。这一段称为转折区。 vI/V 3 2 1 0 1 2 3 a vO/V b c d e Vth 图3-2-3 电压传输特性 　　de段：随着vI增加，T1进入倒置工作状态，T3、D4进入截止， T4进入饱和，输出低电平近似为0.3V，电路进入稳定的开态。这一段称为饱和区。 3.2.2　门电路的主要技术指标 R4 A VCC T4 T3 D4 R2 T2 R3 T1 B C R1 Y 图3-2-2 CT54/74系列与非门 ● VCC Y A B C 3.2.3 TTL与非门电路 B A Y 图3-2-15 非门的线与连接 　　图示电路为两个非门的输出端直接连接的情况。其输出与输入间的关系为 两个逻辑门输出端相连，可以实现两输出相与的功能，称为线与。 　　在用门电路组合各种逻辑电路时，如果能将输出端直接并接，有时能大大简化电路。 　　前面介绍的推拉式输出结构的TTL门电路是不能将两个门的输出端直接并接的。 3.2.4　集电极开路的TTL与非门（OC门） 图3-2-16 两个与非门输出 直接相连接的情况 VCC T4 T3 D4 Y1 VCC T4 T3 D4 Y2 T2 VOH VOL 　　如图3