晶体管原理-A04讲义.ppt

第一章 绪 论 第二节 半导体器件基本方程 第一章 绪 论 电流密度方程 第一章 绪 论 电流连续性方程 第二章 pn结和晶体二极管 PN结的意义 1）单向导电性 2）击穿特性 3）电容特性 4）隧穿效应 pn结隔离 第二章 pn结和晶体二极管 第二节 pn结直流特性 第二章 pn结和晶体二极管 第三节 pn电容 第二章 pn结和晶体二极管 第四节 pn结击穿 第二章 pn结和晶体二极管 雪崩倍增因子 第二章 pn结和晶体二极管 影响雪崩击穿电压因素 第二章 pn结和晶体二极管 隧道击穿（齐纳击穿） 隧道效应：电子具有波动性，可以有一定的几率穿过位能比电子动能高的势垒区。 第二章 pn结和晶体二极管 雪崩击穿与隧道击穿的比较 第二章 pn结和晶体二极管 第二章 pn结和晶体二极管 PN结开关的瞬态特性 第二章 pn结和晶体二极管 电荷存储效应 第二章 pn结和晶体二极管 反向恢复时间 *Institute of Microelectronics Circuit System 半导体器件原理 2009.06.22 漂移速度和迁移率 爱因斯坦关系 载流子 越大,器件工作速度