在相邻的两个能带之间,可以有不存在电子稳定能态的能量区域,称为禁带。 价带之上的能带没有分布电子,称为空带。 未排满电子的价带和紧靠价带的空带又称为导带。 四、导体、半导体和绝缘体 导体 绝缘体 半导体 按能带论,不同的导电性能,是因为它们的能带结构不同。 在能带论的基础上可以证明,一个完全充满的能带即使有电场存在也形不成电流。 绝缘体:价带满,且禁带宽(?Eg=3~6 eV) 半导体:价带满,但禁带窄(?Eg=0.1~1.5 eV) 导 体:价带不满或价带与其他空带有交叠。 §14-3 半导体 一、电子和空穴 当半导体中电子从满带跃迁到导带后,满带中就出现了空位,称为空穴。 电子导电:导带中的电子在外电场作用下的定向运动。 空穴导电:满带中存在空穴的情况下,电子在满带内的迁移,相当于空穴沿相反方向运动,等效一个带正电的粒子的运动。 本征半导体是指纯净的半导体。 本征半导体导带上的电子和满带上的空穴总是成对出现的,兼有电子导电和空穴导电——本征导电。 二、杂质的影响 杂质半导体是指在纯净的半导体中掺有杂质,包括:n型半导体和 p 型半导体 。 在四价的本征半导体硅(Si)或锗(Ge) 等中掺入少量五价的杂质元素磷(P)或砷(As)等后形成电子型半导体称为n 型半导体。 杂质元素的五个价电子的四个价电子与硅或锗形成共价键,多提供的一个电子与杂质原子结合较弱。 可以证明: 多余电
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