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深圳市图书馆 近来要写个论文，需要下载一些参考文献，但是在中国知网，万方，维普等文献检索网站上只能查看论文摘要，无法下载全文，怎么办呢，于是就开始了百度论文免费全文下载方法的艰苦历程，终于有所收获，找到了一些方法，但是这些方法大部分都已经失效了，无法使用。不过，最终还是让我找到了一个比较好的工具，通过这个工具可以很方便的下载论文全文，解决了深圳市图书馆的问题。 下面就为大家介绍一下这个方法，亲测可用。 其实也很简单 首先，下载一个软件，软件地址： /soft/detail/39244.html 或者：/ 此软件为绿色软件，下载后不用安装，直接解压缩打开 文献检索浏览器。 下图是软件界面： 里面有大量的中英文数据库可供大家使用，下面以知网为例给大家做个演示，其它数据库的使用方法与此类似，首先打开知网数据库 选择一个入口 输入搜索词，搜索 点击标题下载 是不是很简单啊，深圳市图书馆的问题是不是就这样很简单的解决了啊？ 这个文献检索浏览器不仅有中国知网免费入口，还有万方，维普，龙源，读秀等数据库的免费入口。 那么问题来了，这个浏览器可以免费使用吗，答案是不能免费使用。 不过注册费用很低，不过就是一瓶饮料钱，不过我认为和大家东奔西走花费很大的精力自己去寻找这些免费入口比起来，简直是太划算了。 好了，下面大家可以测试检索一下下面这篇示例文章，看看是否好用。 1.3μm GaInNAs/GaAs垂直腔面发射激光器的优化设计与制作--《武汉大学》2004年博士论文 随着人们对带宽需求的不断增加，光网络已逐渐应用于企业网和接入网。为了使光网络能更加广泛地应用于中短程的通信，要求光电子器件具有低成本、高速率和低功耗等特点。通常的边发射半导体激光器由于具有测试成本高、与光纤耦合精度要求高，耦合效率低以及工作电流高等缺点，不利于未来光网络在中短程的应用。因此，国际上一直在探寻低成本、高速率和低功耗的新型光有源器件。垂直腔面发射激光器(VCSEL)因具有在片测试、与光纤耦合效率高、调制速率高和功耗低等优点而极有可能成为今后中短程光网络中最有竞争优势的光源。鉴于850nm VCSEL在短距离的多模光纤网络中的成功应用，适合于中短程的单模光纤网络的1310nm VCSEL已经成为近年来激光器研究领域中一个十分活跃的课题。 本文研究了VCSEL的布拉格反射器(DBR)、量子阱结构和热效应对激光器光电性能的影响，提出了在采用直接接触的1.3μm GaInNAs VCSEL的设计中通过以下三种途径来优化器件结构，改善激光器的光电特性。(1)针对GaInNAs材料质量随N含量升高而急剧退化的特点，为了提高材料增益，将1.3μm GaInNAs VCSEL的量子阱设计为Ga_(0.65)In_(0.35)N_(0.01)As_(0.99)／GaAs，不仅可以使量子阱的增益峰值波长接近1.31μm，还有利于MOVPE生长出高质量的GaInNAs／GaAs量子阱。(2)为了减小VCSEL的电阻，对处于驻波波峰处的p-DBR区域进行轻掺杂，处于驻波波节处的区域进行高掺杂来降低界面间的势垒，从而减小激光器的电阻，改善由焦耳热带来的热效应；为了减小VCSEL的损耗，对p-DBR的体材料区域进行低掺杂来减小光吸收，从而获得较高的p-DBR反射率。(3)由于量子阱的增益波长随温度的漂移速度较VCSEL发射波长随温度漂移速度快，为了能使量子阱增益与发射波长之间在较宽的温度范围内有良好的匹配，优化量子阱增益峰值波长与发射波长之间的偏差，从而改善1.3μm GaInNAs VCSEL的光电特性。 通过对850nm VCSEL DBR的掺杂和对数优化、以及GaAs／AlGaAs量子阱的增益和发射波长的匹配优化，研制出了高性能的850nm氧化限制型VCSEL。激光器阈值电流小于2mA，斜率效率为0.5～0.6mW／mA，峰值光功率达11mW，串联电阻小于45Ω；工作温度可达到85℃。所研制出的850nm氧化限制型VCSEL的光电特性是目前国内报道的最好结果，同时达到了国外该类器件的同等水平。 根据上面的三种途径我们优化了1.3μm GaInNAs VCSEL的结构，研制出的1.3μmGaInNAs VCSEL的性能有显著的提高。对于氧化孔为2×2.8μm~2的单模1.3μmGaInNAs VCSEL，室温下阈值电流为1.0mA，激射波长为1283.9nm，6mA下的压降为3.3V，最大单模功率为0.256mW，6.5mA下的边模抑制比(SMSR)为46.53dB：对于