第5章光电发射器件分析.pptVIP

4、高压电源得稳定性必须为所需测量精度得10倍左右； 5、输出信号采用运放作电流电压变换，以获得高得信噪比和好的线性； 6、采取电磁屏蔽，最好使屏蔽筒与阴极处于相同的电位； 7、应贮存在黑暗中，使用前最好先接通高压电源，在黑暗总存放几小时； 8、最好在光电阴极前放置优质的漫射器； 10、不应在He中使用。 应用举例：光子计数 工作原理：光子计数器一般测量小于10-14W的连续弱辐射。假设为He－Ne激光，则发生光子速率 Np＝10－14/hv=3.18*104/s 讨论： PMT为何做成球面？ 如何选择倍增极之间的极间电压？ 光电发射和二次电子发射两者有何不同？ 光电倍增管产生暗电流的原因有哪些？如何减少暗电流？ 光电倍增管采用负高压供电或正高压供电，各有什么优缺点？他们分别使用哪些情况下？现有12级倍增极的光电倍增管，若要求正常工作时放大倍数的稳定度为1％，则电源电压的稳定度是多少？ 光电倍增管 (1)光电倍增管利用外光电效应制成 (2)结构 光电倍增管 (3) 特点 灵敏度高，适宜弱光信号； 响应时间极短； 频率特性较好，频率可达106赫或更高； (4) 缺点 需高压直流电源、价贵体积大、经不起机械冲击等。 光敏电阻 (1) 结构 光敏电阻 (2) 优点 光谱响应相当宽; 光敏电阻的灵敏域可在紫外光区，可见光区，也可在红外区和远红外区。 所测的光强范围宽; 使用方便，成本低，稳定性高，寿命长; 灵敏度高，工作电流大，可达数毫安。 (3) 不足 在强光照射下线性较差，频率特性也较差。 光电导摄像管 (1)基本原理 由半导体能带理论可知，当图像的光子大量入射到半导体光电导材料上时，使大量的电子吸收能量进入导带，从而使其导电性能改善，电导率增加或电阻下降，形成了电子图像信号。 光电导摄像管 (2) 组成： 电子枪 偏转线圈 光电导靶面 光电池 （1）原理与结构 光电池 （2）特性： 波长范围: 硅光电池为400 — 1100 nm，峰值波长在 850 nm 附近； 灵敏度：硅光电池为 6-8 毫安／流明； 可靠性好，寿命也较长； 体积小。 光敏二极管 (1) 结构 光敏二极管 (2) 特性 体积小，稳定性好； 灵敏度高，响应速度快； 易于获得定向性； 光谱响应在可见和红外区。 光敏二极管 雪崩光敏二极管 频率响应很高，带宽可达100GHz。是目前响应最快的一种光敏二极管。适用于光纤通信、激光测距及其他微弱光的探测等。 光敏二极管阵列 将光敏二极管以线列或面阵形式集合在一起，用来同时探测被测物体各部位提供的不同光信息，并将这些信息转换为电信号的器件。 象限探测器 象限探测器有二象限和四象限探测器，又分光电二极管象限探测器和硅光电池象限探测器。象限探测器是在同一块芯片上制成两或四个探测器，中间有沟道将它们隔开，因而这两或四个探测器有完全相同性能参数。当被测体位置发生变化时，来自目标的辐射量使象限间产生差异，这种差异会引起象限间信号输出变化，从而确定目标方位，同时可起制导、跟踪、搜索、定位等作用。 光敏三极管 结构 光敏三极管 灵敏度比光敏二极管高，是光敏二极管的数十倍，故输出电流要比光敏二极管大得多，一般为毫安级。但其它特性不如光敏二极管好，在较强的光照下，光电流与照度不成线性关系。频率特性和温度特性也变差，故光敏三极管多用作光电开关或光电逻辑元件。 第五节 各种光电检测器件的性能比较和应用选择 一、接收光信号的方式 光信号的有无：即被测对象造成投射到光电器件上的光信号截断或通过。 光信号按一定频率交替变化：光信号的输入有一定的频率，必须使所选器件的上限截止频率大于输入信号频率。 光信号的幅度大小：被测对象因对光的反射率、投射率变化或被测对象本身光辐射强度变化，光信号的幅度改变。 光信号的色度差异 二、各种光电检测器件的性能比较 在动态特性方面（响应）：PMT，PIN，APD； 线性（光电特性）：PMT，光电二极管，光电池； 灵敏度：PMT，APD，光敏二极管，光敏三极管； 输出电流：大面积光电池，光敏电阻，APD，光电三极管； 外加电压：光电二、三极管，光电池； 暗电流：PMT，光电二极管，光电池； 工作稳定性：光电二极管和光电池PMT与光电三极管 光谱响应：PMT和CdSe光敏电阻。 三、光电检测器件的应用选择 光电检测器件必须和辐射信号源及光学系统在光谱特性上匹配； 光电转换特性必须和入射辐射能量的匹配； 必须和光信号的调制形式、信号频率及波形相匹配； 必须和输入电路在电特性上匹配； 必须注意器件的规格和使用环境条件。 第5章 光电发射器件 光电发射探测器是基于外光电效应的