半导体物理第一章演示文稿讲述.pptVIP

第一章 半导体中的电子状态 1 半导体的晶体结构 金刚石结构 第IV族元素半导体材料硅、锗原子最外层都具有四个价电子。大量的硅、锗原予组合成晶体靠的是共价键结合，它们的晶格结构和金刚石一样都属于金刚石型结构。这种结构的特点是：每个原子周围都有四个最近邻的原子，组成一个正四面体结构。金刚石型结构的结晶学原胞是立方对称的晶胞。这种晶胞是两个面心立方晶胞沿立方体的空间对角线互相位移了四分之一的空间对角线套构而成。原胞含2个原子。 纤锌矿结构 纤锌矿型结构和闪锌矿型结构相接近，它也是以正四面体结构为基础构成的，但是它具有六方对称性。它是由两类原子各组成六方排列的双原子层堆积而成，但它只有两种类型的六方原子层，它的(001)面规则地按ABAB…顺序堆积，从而构成纤锌矿型结构。 氮化物和硫化物半导体材料等。 2 固体中电子状态和能带 能带的概念 单原子中的电子：电子在原子核的势场和其它电子的作用下，它们处于不同的能级，即所谓电子壳层。同一能级中的电因角动量不同，处于不同支壳层的电子分别用s、p、d等对应于确定的能量。 出现几率： 自由电子运动 动量： 能量： 德波（De Broglie）: ν是波频，，k是波矢 一维情况下，沿x方向运动的电子： 根据Sch. Eq. 波函数的振幅及其物理意义： A2 单电子的原子中电子运动 在球坐标系中，电子受到势场 Sch.eq： 分离变量： 电子的能量 波函数 晶体中的电子运动 单电子近似：晶体中的电子是在周期性排列且固定不动的原子核的势场以及其它大量电子的平均势场中运动，这个势场也是周期性变化的，而且它的周期与晶格周期相同。 一维晶格中任一处x的势场： Sch. Eq. 波函数的形式（布洛赫波）： 周期性边界条件得出波矢只能取分立的数值，描述晶体中电子共有化运动的量子状态 每一能带共有N个能级，N为晶体的固体物理学原胞数，每一个k值对应一个能量状态(能级) 布里渊区与能带 晶体周期性势场中电子E(k)和k关系在k=n/2a处能量不连续(n为整数)，形成一系列允带和禁带。而布里渊区对应于不同的允带，禁带出现在边界上。 第一布里渊区： 第二布里渊区： 。。。。。。 导体、半导体、绝缘体 电子填充能带的情况来看，固体能够导电，是固体中的电子在外电场作用下作定向运动的结果。 从能带论来看，电子的能量变化，就是电子从一个能级跃迁到另—个能级上去。满带中的电子并不形成电流，对导电没有贡献如内层电子对导电没有贡献。对于被电子部分占满的能带，在外电场作用下，电子可从外电场中吸收能量跃迁到未被电子占据的能级去，形成了电流，起导电作用，常称这种能带为导带。如金属是良好导体。 半导体的能带下面是巳被价电子占满的满带(其下面还有为内层电子占满的若干满带)，亦称价带，中间为禁带．上面是空带。绝对零度时，在外电场作用下并不导电。但当外界条件改变，满带中有少量电子会被激发到上面的空带下去，空能带底部则有少量电子，在外电场作用下，这些电子将参与导电；同时、满带中少了一些电子，在满带顶部附近出现一些空的量子态变成了部分占满的能带，在外电场的作用下，仍留在满带中的电子也能够起导电作用。满带电子的这种导电作用等效于把这些空的量子状态看作带正电荷的准粒子的导电作用，常称之为空穴。半导体中导带的电子和价带的空穴均参与导电，这是与金属导体差别。 绝缘体的禁带宽度很大，激发电子需要很大能量，在通常温度下．能激发到导带的电子很少 禁带宽度 3 半导体中的电子运动 3 半导体中的电子运动 半导体中E(k)与k的关系 半导体中起作用的是接近于能带底部电子或能带顶部空穴，因此要清楚其能带底部或顶部附近(也即能带极值附近)的E(k)与k关系 利用用泰勒级数展开，近似求出极值附近E(k)与k的关系。 以一维情况为例． 设能带底位于k＝0，能带底部附近的k值必然很小，将置E(k)在k ＝0附近按泰勒级数展开，保留到二次项： 半导体中电子的平均速度和加速度 根据量子力学概念，电子的运动可以看作波包的运动，波包的群速就是电子运动的平均速度 有效质量的意义 半导体中的电子在外力作用下．描述电子运动规律的方程中质量是有效质量而不是电子的惯性质量m。这是因为方程中电子所受到的外力并不是电子受力的总和，没有考虑它也要受到半导体内部原子及其它电子的势场作用。 电子在外力作用下运动时，电子的加速度应该是半导体内部势场和外电场作用的综合效果。因内部势场的具体数学形式及加速度求解十分困难，引进有效质量后可使问题变得简单，内部势场的作用则由有效质量加以概括。因此，有效质量的意义在于它概括了半导体内