硅片的清洗与制绒-一次清洗培训材料-修改稿课件.pptVIP

* 硅片清洗与制绒 效果评价及改善对策： 多晶制绒基本要求：绒面连续均匀；反射率低；硅片腐蚀量适中。 多晶制绒 良好绒面 * 硅片清洗与制绒 效果评价及改善对策： 绒面偏小： 多晶制绒 原因:制绒时间不够； 或溶液浓度偏稀。 改善方法：适当延长制绒时间；降低制绒初配时水的比例。 * 硅片清洗与制绒 效果评价及改善对策： 绒面偏大，绒面凹凸不显著： 多晶制绒 原因：腐蚀量过大；制绒过程温度偏高。 改善方法：适当缩短制绒时间，观察制绒温度是否在设定的范围内。 * 硅片清洗与制绒 小结： 尽管多晶制绒可选方法很多，但综合成本及最终效果，当前产业所用多晶制绒工艺均为HNO3，HF，DI Water 混合液体系制绒。 多晶制绒基本要求为：绒面连续均匀；反射率低；腐蚀量适中。常见不良为绒面大小不合适，制绒后，硅片反射率高等。 多晶制绒关键点为温度控制及酸液浓度配比控制。 多晶制绒 * * * 硅片清洗与制绒 绒面形成最终取决于两个因素： 腐蚀速率及各向异性 腐蚀速率快慢影响因子： 1、腐蚀液流至被