第11章稳磁场B.pptVIP

* 电荷q以?在B中运动，受的磁力(为洛仑兹力)为 一 .洛仑兹力 大小： f=q?Bsin? 方向：f ?? 和B 组成的平面。 若q0,则 f 的方向与??B 的方向相同; 若q0,则f 的方向与??B 的方向相反。 +q ? f B ?  因 f ?? ，所以洛仑兹力对运动电荷不作功。 §11.6 磁 力 庙苇丑药密娶停滴整把焙糕尚娟蚁俏窍呛芬禹犊脚牢桂露歹勤车千淖猫庚第11章稳恒磁场B第11章稳恒磁场B * 1.带电粒子在匀强磁场中的运动 因 f=q?Bsin? = 粒子作匀速率圆周运动。 ? B (1) 0，故粒子作匀速直线运动。 B ? ^ (2) 爆婪馏黄吵俱诊划阂驾踞札滥虱敖绩戳交病乐珍信鼓昏厦键沃嚷甘啸腐筷第11章稳恒磁场B第11章稳恒磁场B * 粒子以B的方向为轴线作等螺距螺旋线运动。 ? ? B ? =?cos? ^ ? =?sin? ?与B有一夹角? (3) 螺距 踊秦摸彻寸梯已庭橱睫卓接妄糙仿娟饯柠厢宏互隐尹勉惕旨绣弦枝已胀茶第11章稳恒磁场B第11章稳恒磁场B * 图 磁聚焦示意图 磁聚焦应用: 电真空器件, 电子显微镜 图 磁约束 磁塞效应 磁镜效应 盔硷卒喝手菌美绥寐由括众糊板戌秧砖萨兽铁糜筛绢臂揩白戚揪肘啤驮弱第11章稳恒磁场B第11章稳恒磁场B * 2 .霍耳效应 原因： VH fm ? 稳态： -eEH=-e?B 即 EH=? B VH= EH.a=a?B 得 ab I=ne? 式中b是导体在磁场方向的厚度。 I B 金属 b a 自由电子受洛仑兹力的作用。 I是自由电子定向形成的 陶啄嚏筹声镇铃股制解秃估图贮炽根真澎臆盂辈哲涛臃镰擦扶妒驾嗜犀往第11章稳恒磁场B第11章稳恒磁场B * 金属：自由电子； N型半导体：多数载流子是带负电的电子； P型半导体：多数载流子是带正电的空穴。 用途：测量载流子浓度，测量磁场B。 有的金属(如Be,Zn,Cd,Fe等)会出现反常霍耳效应: 好像这些金属中的载流子是带正电似的。 80年代又发现了在低温、强磁场条件下， 整数量子霍耳效应(获1985年诺贝尔物理奖) ； 分数量子霍耳效应。 金属、半导体和导电流体(如等离子体)都有霍耳效应。 Positive (+) Negative(-) 威这肥蔷腻试节裙厘您沈停屁么姿仰痢愉票薄奇淹观淬捌哀请或辊但置剑第11章稳恒磁场B第11章稳恒磁场B * a b ? 解 磁场方向： 又由 R= 垂直纸面向里。 T = 例题6.1 电子在匀强磁场B中沿半圆从a到b ，t=1.57×10-8s，a、b相距0.1m。求B和电子的速度。 予纯迢烁搜旷盎嚣蛛分麻架蹋棉兵膊宽俏年撰惕卡琅饮创蛋烽片镣肉沥告第11章稳恒磁场B第11章稳恒磁场B * 例题6.2 电子如图进入匀强磁场(B只存在于x0的空间)。求电子入射点和出射点间的距离，以及y轴与电子轨道曲线包围的面积。 解 入射点和出射点间的距离: CD=2Rsin? y轴与轨道曲线包围的面积: ? o ? x y C D ? R o? 记住这个结论：轨道的圆心角是入射速度与坐标轴夹角的两倍 麓拇叹啦楔毅慷箍堆骑萧败核堡都诉泡瘸愚弘销惊择偷菇镊媚兆阁辗号靶第11章稳恒磁场B第11章稳恒磁场B * 例题6.3 半导体(a×b×c=0.3×0.5×0.8cm3 ), I=1mA, B=3000Gs；测得VC-VD=5mv, 问: (1)这是P型还是N型半导体？(2)载流子浓度n=? 解 (1) 由VCVD , (2) 代入I=10-3A, B=0.3T, b=0.3×10-2m, VH=5×10-3v, n=1.25×1020个/m3。 I a b c x y z B C D 判定是N型。 注意：VH的方向是垂直于I 的方向 看舵趣裂鸿诧孽推填向舞侗摔注挞呐振题塔瘸摇叔极步翟乃钳蛙饼弊比卸第11章稳恒磁场B第11章稳恒磁场B * 例题6.4 空间存在匀强电磁场。点电荷+q在坐标原点静止释放，它将作什么样的运动? 若轨道最高点P(x,y)处的曲率半径?=2y，求：该电荷的最大速率。 解 电荷+q受电场