第07章半导体存储器(免费阅读).pptVIP

第七章 半导体存储器 §7.1 概述 “半导体存储器”又称“半导体集成存储器” 以半导体器件为基本存储单元 优点 体积小 集成度高 成本低 可靠性高 外围电路简单、与其他电路配合容易 易于批量生产 一、半导体存储器的分类 按制造工艺分类 双极型存储器 以双极型触发器为存储单元 速度块 MOS型存储器 以MOS电路为存储单元，可以是 触发型也可是电荷存储型 容量大 按存储原理分类 静态 存储单元是触发器 动态 用电容存储信息 都是MOS型 二、半导体存储器的技术指标 1. 存储容量 表示存储器存放二进制信息的多少，即存储单元的总数 存储容量＝N字×M位 2. 存取周期 从存储器读出信息或把信息写入存储器的速率 决定了 存储器的性能 存储器的存取速度用存取周期或读写周期来表征 存取周期 连续两次读（写）操作间隔的最短时间 §7.2 只读存储器 ROM（Read-Only Memory） 只能读出，不能写入 只读存储器ROM是 非易失性存储器，断电后信息不丢失； 常用存放固定的资料及程序。 ROM按存储内容的写入方式，分为 固定只读存储器（ROM） 制造时根据特定的要求做成固定的存储内容，出厂后无法更改 可编程只读存储器（PROM） 存储内容由使用者编程写入，但只能写入一次 可擦可编程只读存储器（EPROM） 存储内容可改变。但工作时，只能读。 一、固定ROM 固定ROM是指所存储的信息是由生产厂在制造芯片时，采用掩模工艺固化在芯片中，使用者只能读取数据而不能改变芯片中数据内容。 又称为掩模ROM： 双极型管（掩模）ROM 二极管 TTL MOS管ROM 它们虽然工艺不同，但原理相似 1. ROM的结构 由三部分组成 地址译码器 存储矩阵 输出及控制电路 译码器输出线W0 ～ W3称为字线 存储矩阵的数据线D0 ～D3称为位线 形成 字×位 结构 二极管掩模ROM（双极型）结构图 NMOS管ROM 结构说明 地址译码器是一个2/4线地址译码器，将两个输入地址码A0、A1译成四个地址W0～W3 存储单元是由NMOS管（或二极管）组成的4×4存储矩阵 有管的D代表1：当译码器输出所对应的W(字线)为高时，在线上的NMOS管（或二极管）导通，将相应的D(位线)与W相连使D为1 无管的D代表0 位线与字线之间的逻辑关系 存储矩阵的输入输出是或关系 地址译码器的输入输出是与关系 所以ROM是与或逻辑阵列 二、可编程ROM PROM: Programmable Read Only Memory PROM在写入程序前的状态：每一个存储单元有一个二极管(三极管)和熔丝，即每一个存储单元包含一个逻辑1。 根据需要把某些存储单元的熔丝烧断，即可存储0 只能改写一次 编程前的二极管PROM 编程后的二极管PROM 多发射极三极管PROM 三、可擦可编程ROM 可多次擦写 分类 光（紫外线）可擦除可编程存储器UVEPROM 电可擦除可编程存储器E2PROM 快闪存储器Flash Memory 1. 光可擦除可编程存储器UVEPROM 采用浮栅技术 存储单元多采用N沟道叠栅MOS管：SIMOS管 源极s 漏极d 控制栅gc ：控制读出和写入 浮置栅gf：没有外引线，长期保存注入电荷 SIMOS结构 浮置栅上注入电荷的SIMOS管相当于写入1，可长期保存未注入电荷的相当于存入0 当用紫外线或X射线照射时，浮置栅上的电子形成光电流而泄放，从而恢复到写入前状态 2.电可擦除可编程存储器E2PROM 采用Flotox浮置栅隧道氧化层的MOS管，简称Flotox管 Flotox管与SIMOS管的区别Flotox管的浮置栅与漏区之间有一个氧化层极薄的隧道区 隧道效应 Flotox管存储单元 3. 快闪存储器 采用叠栅MOS管 优点 集成度高 容量大 成本低 使用方便 四、ROM的应用 例1：已知 d0＝∑m（1，2，4，7） d1＝∑m（1，2，3，7） 例2：ROM的扩展 用4片 1K×8 ROM 扩展为容量 2K×16位 §7.3 随机存取存储器 随机存储器RAM(Random Access Memory)是易失性半导体存储器：当电源断开后就丢失数据 RAM又称为读/写存储器 从RAM中调用数据时称为读取，而向RAM中存储数据称为写入。 读取数据时不应破坏RAM中所存内容 RAM的分类 双极型：静态RAM MOS型 静态RAM 动态RAM 一、静态RAM (SRAM) 1. 静态双极型RAM存储单元 速度快 但功耗大，集成度不高。 2. 静态MOS型RAM 大容量的RAM一般都采用MOS型 NMOS静态存储单元 其中MOS管为NMOS， V1、V2，V3、V4组成的两个反相器交叉耦合构成基本RS触发器作基本存储单元， V5、V6为