第2章光电器件基础2.6节yuan(免费阅读).pptVIP

2.6 光电效应 当光照射到物体上，使物体发射电子、或导电率发生变 化、或产生光电动势等，这种因光照而引起物体电学特性的 改变统称为光电效应。 光电效应可分为: ?内光电效应 ?外光电效应 2.6.1 内光电效应 1.光电导效应 当半导体受到光照射后，其内部产生光生载流子，使半导 体中载流子数显著增加而电阻减小的现象称为光电导效应。 光电导效应可分为 ?本征光电导效应 ?杂质光电导效应 图2-12 光电导体 如果通量为Φe,λ的单色辐射入射到如图2-12所示的光电 导体上，波长λ的单色辐射全部被吸收，则光敏层单位时间 （每秒）所吸收的量子数密度Ne,λ为 （2-73） 光敏层每秒产生的电子数密度Ge为 （2-74） 式中η为半导体材料的量子效率。 在热平衡状态下，半导体的热电子产生率Gt与热电子复 合率rt相平衡。光敏层内电子总产生率应为热电子产生率Gt 与光电子产生率Ge之和 （2-75） 导带中的电子与价带中的空穴的总复合率R为 （2-76） 式中，Kf为载流子的复合几率，Δn为导带中的光生电子浓度， Δp为价带中的光生空穴浓度，ni与pi分别为热激发电子与空 穴的浓度。 热电子复合率rt与导带内热电子浓度ni及价带内空穴浓度 pi的乘积成正比。即 （2-77） 在热平衡状态载流子的产生率应与复合率相等。即 （2-78） 在非平衡状态下，载流子的时间变化率应等于载流子的总 产生率与总复合率的差。即 （2-79） （1）在微弱辐射作用下，光生载流子浓度Δn远小于热激发电 子浓度ni，光生空穴浓度Δp远小于热激发空穴的浓度pi，并考 虑到本征吸收的特点：Δn=Δp，式（2-79）可简化为 利用初始条件t = 0时，Δn = 0，解微分方程得 （2-80） 式中τ=1/Kf(ni+pi) 称为载流子的平均寿命。 光激发载流子浓度随时间按指数规律上升，当t τ时， 载流子浓度Δn 达到稳态值Δn0，即达到动态平衡状态，有 （2-81） 光激发载流子引起半导体电导率的变化Δσ为 （2-82） 式中，μ为电子迁移率μn与空穴迁移率μp之和。 半导体材料的光电导g为 （2-83） 将式（2-73）代入式（2-83）得到 （2-84） 在弱辐射作用下的半导体材料的光电导与入射辐射通量 Φe,λ成线性关系。 对式（2-84）求导可得 由此可得半导体材料在弱辐射作用下的光电导灵敏度Sg （2-85） 在弱辐射作用下的半导体材料的光电导灵敏度为与材 料性质有关的常数，与光电导材料两电极间的长度l的平方 成反比。 （2）在强辐射的作用下，Δn ni，Δp pi，式（2-79） 可以简化为 利用初始条件t = 0时，Δn = 0，解微分方程得 （2-86） 式中， 为强辐射作用下载流子的平均寿命。 在强辐射情况下，半导体材料的光电导与入射辐射通量 间的关系为 （2-87） 是抛物线关系。 对式（2-87）进行微分得 （2-88） 在强辐射作用的情况下半导体材料的光电导灵敏度不仅 与材料的性质有关，而且与入射辐射量有关，是非线性的。 ?半导体的光电导灵敏度与入射辐射通量的关系为： 在弱辐射作用的情况下是线性的； 随着辐射的增强，线性关系变坏； 当辐射很强时，变为抛物线关系。 2.光生伏特效应 光生伏特效应是把光能变成电能的一种效应。它是光照 使不均匀半导体或均匀半导体中光生电子和空穴在空间分开 而产生电位差的现象。 光生伏特效应可分为 ?由内建电厂的作用或势垒效应产生的光生伏特效应 ?体积光生伏特效应 丹培（倍）效应 光磁电效应 图2-13 半导体示PN结示意图 图2-14 PN结的能带结构 当设定内建电场的方向为电压与电流的正方向时，将PN 结两端接入适当的负载电阻RL，若入射辐射通量为Φe,λ的辐 射作用于PN结上，则有电流I流过负载电阻，并在负载电阻RL 的两端产生压降U，流过负载电阻的电流应为 （2-89） 式中， 为光生电流，I D为暗电流。 ※IΦ的另一种定义： 当U =0时的输出电流ISC即短路电流，并有 （2-90） 短路时，被内建电场分开的光生载流子沿外电路流动， 不发生附加电荷的聚积且势垒高